DDR總線一致性測(cè)試

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線一致性測(cè)量概述

高速數(shù)字系統(tǒng)使用了各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，對(duì)這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線進(jìn)行規(guī)范一致性測(cè)量是確 保系統(tǒng)工作穩(wěn)定和可靠的關(guān)鍵點(diǎn)之一。“一致性”是對(duì)英文單詞“Compliance”的中文解釋， 美國(guó)把按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行的電氣參數(shù)測(cè)量叫作一致性測(cè)量。

測(cè)試這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，完整和可靠的測(cè)試方案是非常重要的。完整的測(cè)試方案不僅保證測(cè)試準(zhǔn)確度，還可以大量節(jié)省測(cè)試時(shí)間，提高工作效率。

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線完整的測(cè)試方案一般包括幾部分：測(cè)試夾具；探頭和附件；自動(dòng)測(cè)試軟件;測(cè)試儀器。 DDR4/LPDDR4 一致性測(cè)試；校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試銷售廠

JEDEC組織發(fā)布的主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。上海DDR一致性測(cè)試方案商什么是DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5;

每個(gè)DDR芯片獨(dú)享DOS，DM信號(hào);四片DDR芯片共享RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)。

DDR工作頻率為133MHz。

DDR 控制器選用Xilinx公司的 FPGA，型號(hào)為XC2VP30 6FF1152C

得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來(lái)講，對(duì)于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)Datasheet:這個(gè)是必須要有的。如果沒有器件手冊(cè)，是沒有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的(一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè))。

DDR地址、命令總線的一致性測(cè)試

DDR的地址、命令總線的信號(hào)完整性測(cè)試主要測(cè)試其波形和時(shí)序參數(shù)。地址總線An、 命令總線/RAS、/CAS、/WE、/CS需要測(cè)試的信號(hào)品質(zhì)主要包括：Vmax （最大電壓值）；Vmin （小電壓值）；Overshoot （過沖）和Undershoot （下沖）的持續(xù)時(shí)間的大值；Slew Rate （斜率）；Ringback （回溝）等。還需要測(cè)試相對(duì)于時(shí)鐘邊沿的Setup Time （建立時(shí)間）和Hold Time （保持時(shí)間）。建立時(shí)間和保持時(shí)間的定義如圖7.134所示，其中加為建立時(shí)間，如為 保持時(shí)間，針對(duì)DDR400,加和如為0.7ns。

DDR3和 DDR4設(shè)計(jì)分成幾個(gè)方面：仿真、有源信號(hào)驗(yàn)證和功能測(cè)試。用于電氣物理層、協(xié)議層和功能測(cè)試解決方案。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

一個(gè)實(shí)際的DDR4總線上的讀時(shí)序和寫時(shí)序。從兩張圖我們可 以看到，在實(shí)際的DDR總線上，讀時(shí)序、寫時(shí)序是同時(shí)存在的。而且對(duì)于讀或者寫時(shí)序來(lái) 說(shuō)，DQS(數(shù)據(jù)鎖存信號(hào))相對(duì)于DQ(數(shù)據(jù)信號(hào))的位置也是不一樣的。對(duì)于測(cè)試來(lái)說(shuō)，如果 沒有軟件的輔助，就需要人為分別捕獲不同位置的波形，并自己判斷每組Burst是讀操作還 是寫操作，再依據(jù)不同的讀/寫規(guī)范進(jìn)行相應(yīng)參數(shù)的測(cè)試，因此測(cè)量效率很低，而且無(wú)法進(jìn)行 大量的測(cè)量統(tǒng)計(jì)。 DDR4 總線物理層仿真測(cè)試和協(xié)議層的測(cè)試方案；USB測(cè)試DDR一致性測(cè)試銷售價(jià)格

DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調(diào)試和驗(yàn)證的總線解碼器。校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試銷售廠

需要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以 DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定 了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信 號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō)，不同控制器芯片廠商有不同的要 求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在 內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試銷售廠