單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡(luò)、部分信號網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)?？梢酝ㄟ^ Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無源器件及 其模型。 是否可以在運行操作系統(tǒng)時執(zhí)行DDR3一致性測試？青海DDR3測試聯(lián)系方式

 閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù)，如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當耦合線長度超過lOOmil時，按耦合模型提取，少于lOOmil時，按單線模 型提取。

 單擊Via modeling setup按鈕，在過孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因為要仿真的時鐘頻率是533MHz)。

 單擊OK按鈕，關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單，選擇DDR1_CK這個網(wǎng)絡(luò)(或者可以直接在Allegro界面中選取 網(wǎng)絡(luò))?？梢钥吹揭驗橐呀?jīng)設(shè)置好差分線和差分模型，所以會自動帶出差分線DDRl_NCKo 青海DDR3測試聯(lián)系方式是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測試？

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。

在提取出來的拓撲中，設(shè)置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設(shè)計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時 鐘信號頻率為166?533MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣；一般用于板載(Memory?down)設(shè)計，信號通常為點對點或樹形拓撲，沒有ODT功能。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V； 時鐘信號頻率為667?1066MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為667?1066Mbps,通過時鐘上升 沿釆樣；一般用于板載設(shè)計，數(shù)據(jù)信號一般為點對點拓撲，命令地址和控制信號一般也釆用 Fly-by走線，有些情況下可以使用樹形走線；數(shù)據(jù)和選通信號支持ODT功能；也支持使用 Write Leveling功能調(diào)整時鐘和選通信號間的延時偏移。 DDR3一致性測試需要運行多長時間？

DDR3拓撲結(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，F(xiàn)ly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時很多 設(shè)計人員還是習(xí)慣使用T拓撲結(jié)構(gòu)。 DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內(nèi)存模塊？青海DDR3測試聯(lián)系方式

是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題？青海DDR3測試聯(lián)系方式

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩碚f，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統(tǒng)設(shè)計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。

Bank> Rank及內(nèi)存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結(jié)構(gòu)，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應(yīng)于有4個Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應(yīng)Bank信號為BA[2:0],在DDR4內(nèi)存顆粒內(nèi)部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內(nèi)部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。 青海DDR3測試聯(lián)系方式