通常我們會以時鐘為基準對數據信號疊加形成眼圖,但這種簡單的方法對于DDR信 號不太適用。DDR總線上信號的讀、寫和三態(tài)都混在一起,因此需要對信號進行分離后再進 行測量分析。傳統(tǒng)上有以下幾種方法用來進行讀/寫信號的分離,但都存在一定的缺點。
(1)根據讀/寫Preamble的寬度不同進行分離(針對DDR2信號)。Preamble是每個Burst的數據傳輸開始前,DQS信號從高阻態(tài)到發(fā)出有效的鎖存邊沿前的 一段準備時間,有些芯片的讀時序和寫時序的Preamble的寬度可能是不一樣的,因此可以 用示波器的脈沖寬度觸發(fā)功能進行分離。但由于JEDEC并沒有嚴格規(guī)定寫時序的 Preamble寬度的上限,因此如果芯片的讀/寫時序的Preamble的寬度接近則不能進行分 離。另外,對于DDR3來說,讀時序的Preamble可能是正電平也可能是負電平;對于 DDR4來說,讀/寫時序的Preamble幾乎一樣,這都使得觸發(fā)更加難以設置。 82496 DDR信號質量的測試方法、測試裝置與測試設備與流程;上海設備DDR一致性測試
除了DDR以外,近些年隨著智能移動終端的發(fā)展,由DDR技術演變過來的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應用場景,相 對于同一代技術的DDR來說會采用更低的工作電壓,而更低的工作電壓可以直接減少器 件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1. 1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一 些,有些廠商還提出了更低功耗的內存技術,比如三星公司推出的LPDDR4x技術,更是把 外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是,更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪 聲會更敏感,其電路設計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外,LPDDR還會采用一些額 外的技術來節(jié)省功耗,比如根據外界溫度自動調整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷 新)、部分陣列可以自刷新,以及一些對低功耗的支持。同時,LPDDR的芯片一般體積更 小,因此占用的PCB空間更小。湖北DDR一致性測試維保DDR4協(xié)議/功能調試和分析參考解決方案。
前面介紹過,JEDEC規(guī)范定義的DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的,但 是通常DDR芯片采用BGA封裝,引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉接板的方 式,其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳 處的信號質量, 一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的 去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數模型 文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數, 來計算期望位置處的信號波形,再對這個信號做進一步的波形參數測量和統(tǒng)計。展示了典型的DDR4和DDR5信號質量測試環(huán)境,以及在示波器中進行去嵌入操作的 界面。
DDR簡介與信號和協(xié)議測試
DDR/LPDDR簡介
目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中,存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩 種: 一種是非易失性的,即掉電不會丟失數據,常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-Only Memory),這種存儲器速度較慢,主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數據信息等;另 一種是易失性的,即掉電會丟失數據,常用的有RAM(Random Access Memory,隨機存儲 器),這種存儲器運行速度較快,主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。圖5.1是市 面上一些主流存儲器類型的劃分。 DDR4/LPDDR4 一致性測試;
大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數據讀寫,即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據時鐘采樣方式的不同,又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數據采樣,而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數據采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數據信號的跳變速率是一樣的,因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數據信號是一樣的。DDR命令、地址和地址總線的建立時間和保持時間定義。湖北DDR一致性測試維保
DDR3和 DDR4設計分成幾個方面:仿真、有源信號驗證和功能測試。用于電氣物理層、協(xié)議層和功能測試解決方案。上海設備DDR一致性測試
克勞德高速數字信號測試實驗室
DDR SDRAM即我們通常所說的DDR內存,DDR內存的發(fā)展已經經歷了五代,目前 DDR4已經成為市場的主流,DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說,我們通常說的 速率是指其數據線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應的工作時鐘速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數據線上比較高傳輸速率,由于在DDR總線 上會有讀寫間的狀態(tài)轉換時間、高阻態(tài)時間、總線刷新時間等,因此其實際的總線傳輸速率 達不到這個理想值。 上海設備DDR一致性測試
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DDR簡介與信號和協(xié)議測試 DDR/LPDDR簡介 目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中,存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩 種: 一種是非易失性的,即掉電不會丟失數據,常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-Only Memory),這種存儲器速度較慢,主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數據信息等;另 一種是易失性的,即掉電會丟失數據,常用的有RAM(Random Access Memory,隨機存儲 器),這種存儲器運行速度較快,主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。圖5.1是市 面上一些主流存儲器類型的劃分。 擴展 DDR5 發(fā)射機合規(guī)性測試軟件的功能。青海...