雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號耦合，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號的SPICE模型。前者模型提取時間長，但模型細節(jié)完整，適合終的仿真驗證；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好，比較適合設(shè)計前期的快速仿真迭代。DDR3一致性測試的目標(biāo)是什么？廣西測試服務(wù)DDR3測試

DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計過程，以及將實際的設(shè)計需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個實際的設(shè)計分析實例來說明，如何在一個 DDR 系統(tǒng)設(shè)計中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實際的系統(tǒng)設(shè)計中。是某項目中，對 DDR 系統(tǒng)的功能模塊細化框圖。在這個系統(tǒng)中，對 DDR 的設(shè)計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個 Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

河北DDR3測試如何確保DDR3一致性測試的可靠性和準(zhǔn)確性？

DDR 規(guī)范的時序要求

在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后，下一步，我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對于信號的時序要求。這是我們所設(shè)計的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。

在規(guī)范文件中，有很多時序圖，筆者大致計算了一下，有 40 個左右。作為高速電路設(shè)計的工程師，我們不可能也沒有時間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對比驗證，那么哪些時序圖才是我們關(guān)注的重點？事實上，在所有的這些時序圖中，作為 SI 工程師，我們需要關(guān)注的只有兩個，那就是規(guī)范文件的第 69 頁，關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個基本的時序圖（注意，這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器，也即 FPGA 的角度來講的）。為方便讀者閱讀，筆者把這兩個時序圖拼在了一起，而其他的時序圖的實現(xiàn)都是以這兩個圖為基礎(chǔ)的。在板級系統(tǒng)設(shè)計中，只要滿足了這兩個時序圖的質(zhì)量，其他的時序關(guān)系要求都是對這兩個時序圖邏輯功能的擴展，應(yīng)該是 DDR 控制器的邏輯設(shè)計人員所需要考慮的事情。

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號，單擊0K按鈕確認(rèn)。

同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點選負端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號間的時序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號Strobe和時鐘信號Clock之間的時序關(guān)系，則可以設(shè)置與Strobe對應(yīng)的時鐘信號。在Clock 下方的高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時 鐘信號。 DDR3內(nèi)存的一致性測試是否需要長時間運行？

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統(tǒng)一進行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來設(shè)置。 是否可以在運行操作系統(tǒng)時執(zhí)行DDR3一致性測試？江蘇DDR3測試聯(lián)系方式

DDR3內(nèi)存的一致性測試包括哪些內(nèi)容？廣西測試服務(wù)DDR3測試

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應(yīng)的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應(yīng)關(guān)系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關(guān)的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡(luò)的分布參數(shù)模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口和其對應(yīng)的電源地網(wǎng)絡(luò)對應(yīng)起來，以更好地仿真SSN效應(yīng)，這 個選項通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。廣西測試服務(wù)DDR3測試