雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號(hào)耦合，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號(hào)的SPICE模型。前者模型提取時(shí)間長，但模型細(xì)節(jié)完整，適合終的仿真驗(yàn)證；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好，比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真迭代。是否可以通過調(diào)整時(shí)序設(shè)置來解決一致性問題？浙江DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

 如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來設(shè)置模型。

在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕，加載模型。

加載模型后，選擇文件下的Controller器件模型，然后單擊Assign 按鈕，將這個(gè)器件模型賦置給U100器件。 陜西DDR3測試熱線DDR3一致性測試是否需要經(jīng)常進(jìn)行？

至此，DDR3控制器端各信號(hào)間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會(huì)將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識(shí)別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時(shí)影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據(jù) 實(shí)際情況正確設(shè)定。因?yàn)閷?shí)際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設(shè)置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會(huì)顯示紅叉，表明這兩個(gè)模塊間連接有問題， 暫時(shí)不管，等所有模型設(shè)置完成后再重新連接。

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下，對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中，所有信號(hào)是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號(hào)是同步的，都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設(shè)計(jì)的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲(chǔ)心片)的設(shè)計(jì)變得簡單而廉價(jià)。因此，對(duì)于DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言，信號(hào)完整性仿真和分析的大部分工作，實(shí)質(zhì)上就是要保證這兩個(gè)時(shí)序圖的正確性。DDR3一致性測試是否可以修復(fù)一致性問題？

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)。以下是對(duì)DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級(jí)：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時(shí)序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時(shí)序要求，包括初始時(shí)序、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序、刷新時(shí)序等。這些時(shí)序要求確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。如何進(jìn)行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測試？天津DDR3測試修理

如何執(zhí)行DDR3的一致性測試？浙江DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來說明，如何在一個(gè) DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。是某項(xiàng)目中，對(duì) DDR 系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對(duì) DDR 的設(shè)計(jì)需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個(gè) DDR 功能模塊由四個(gè) 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲(chǔ)芯片 MT46V64M8BN-75。每個(gè) DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存儲(chǔ)單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個(gè) Bank，尋址信號(hào)為 BA<1..0>。

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