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企業(yè)商機(jī)
DDR3測試基本參數(shù)
  • 品牌
  • 克勞德
  • 型號
  • DDR3測試
DDR3測試企業(yè)商機(jī)

 如果模型文件放在其他目錄下,則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕,然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來設(shè)置模型。

在模型設(shè)置界面中選中U100后,單擊Find Model...按鈕,在彈出來的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代,再單擊空白處或按下Tab鍵,在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕,加載模型。

加載模型后,選擇文件下的Controller器件模型,然后單擊Assign 按鈕,將這個器件模型賦置給U100器件。 是否可以在已通過一致性測試的DDR3內(nèi)存模塊之間混搭?江蘇DDR3測試維修電話

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容量與組織:DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個內(nèi)存芯片排列組成,其中每個內(nèi)存芯片被稱為一個芯粒(die),多個芯??梢越M成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性:DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性,包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性:DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題,確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,保留向后兼容性,允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。河北測試服務(wù)DDR3測試是否可以使用多個軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測試?

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DDR 規(guī)范的時序要求

在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后,下一步,我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對于信號的時序要求。這是我們所設(shè)計的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。

在規(guī)范文件中,有很多時序圖,筆者大致計算了一下,有 40 個左右。作為高速電路設(shè)計的工程師,我們不可能也沒有時間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對比驗(yàn)證,那么哪些時序圖才是我們關(guān)注的重點(diǎn)?事實(shí)上,在所有的這些時序圖中,作為 SI 工程師,我們需要關(guān)注的只有兩個,那就是規(guī)范文件的第 69 頁,關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個基本的時序圖(注意,這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器,也即 FPGA 的角度來講的)。為方便讀者閱讀,筆者把這兩個時序圖拼在了一起,而其他的時序圖的實(shí)現(xiàn)都是以這兩個圖為基礎(chǔ)的。在板級系統(tǒng)設(shè)計中,只要滿足了這兩個時序圖的質(zhì)量,其他的時序關(guān)系要求都是對這兩個時序圖邏輯功能的擴(kuò)展,應(yīng)該是 DDR 控制器的邏輯設(shè)計人員所需要考慮的事情。

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中,可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡(luò)、部分信號網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional: Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無源器件及 其模型。 如何選擇適用于DDR3一致性測試的工具?

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常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號質(zhì)量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例,通過一個實(shí)際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。

在本案例中客戶反映實(shí)測CLK信號質(zhì)量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差,系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后,可以正常工作。 如何確保DDR3一致性測試的可靠性和準(zhǔn)確性?遼寧DDR3測試價格多少

DDR3一致性測試需要運(yùn)行多長時間?江蘇DDR3測試維修電話

DDR4: DDR4釆用POD12接口,I/O 口工作電壓為1.2V;時鐘信號頻率為800?1600MHz; 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps;數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓?fù)渥呔€;數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點(diǎn)對點(diǎn)或樹形拓 撲,并支持動態(tài)ODT功能;也支持Write Leveling功能。

綜上所述,DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓?fù)洌籇DR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點(diǎn)對點(diǎn)或樹形拓?fù)?。升級到DDR2后,為了改進(jìn)信號質(zhì)量,在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination),并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號。DDR3速率更快,時序裕量更小,選通信號只釆用差分信號。 江蘇DDR3測試維修電話

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單擊Next按鈕,出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口,確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。 單擊Save File with Error Check保存文件,保存結(jié)束后,單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后,仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式,那么仿真結(jié)果...

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