對(duì)于DDR2-800,這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用,只是有少許的差別。然而,也是知道的,菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢(shì)的。對(duì)于超過(guò)兩片的SDRAM,通常,是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計(jì)。然而,對(duì)于DDR2-800,所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿(mǎn)足其波形的完整性,而在DDR3的設(shè)計(jì)中,特別是在1600Mbps時(shí),則只有D是滿(mǎn)足設(shè)計(jì)的。DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容有那些;自動(dòng)化DDR測(cè)試聯(lián)系方式
DDR測(cè)試
DDR4/5與LPDDR4/5的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試由于基于DDR顆?;駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái),應(yīng)用場(chǎng)景千差萬(wàn)別,因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對(duì)于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō),物理層一致性測(cè)試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試;對(duì)于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō),由于接收端出現(xiàn)了均衡器,所以還要包含接收測(cè)試。DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試也是使用高帶寬的示波器。對(duì)于DDR的信號(hào),技術(shù)規(guī)范并沒(méi)有給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù),因此用戶(hù)只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/下降時(shí)間來(lái)估算需要的示波器帶寬。通常對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試,推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測(cè)試建議的測(cè)試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測(cè)試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 自動(dòng)化DDR測(cè)試聯(lián)系方式什麼是DDR內(nèi)存?如何測(cè)試?
4.時(shí)延匹配在做到時(shí)延的匹配時(shí),往往會(huì)在布線(xiàn)時(shí)采用trombone方式走線(xiàn),另外,在布線(xiàn)時(shí)難免會(huì)有切換板層的時(shí)候,此時(shí)就會(huì)添加一些過(guò)孔。不幸的是,但所有這些彎曲的走線(xiàn)和帶過(guò)孔的走線(xiàn),將它們拉直變?yōu)榈乳L(zhǎng)度理想走線(xiàn)時(shí),此時(shí)它們的時(shí)延是不等的,
顯然,上面講到的trombone方式在時(shí)延方面同直走線(xiàn)的不對(duì)等是很好理解的,而帶過(guò)孔的走線(xiàn)就更加明顯了。在中心線(xiàn)長(zhǎng)度對(duì)等的情況下,trombone走線(xiàn)的時(shí)延比直走線(xiàn)的實(shí)際延時(shí)是要來(lái)的小的,而對(duì)于帶有過(guò)孔的走線(xiàn),時(shí)延是要來(lái)的大的。這種時(shí)延的產(chǎn)生,這里有兩種方法去解決它。一種方法是,只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時(shí)延匹配計(jì)算,然后控制走線(xiàn)的長(zhǎng)度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi),減少不匹配度。對(duì)于trombone線(xiàn),時(shí)延的不對(duì)等可以通過(guò)增大L3的長(zhǎng)度而降低,因?yàn)椴⑿芯€(xiàn)間會(huì)存在耦合,其詳細(xì)的結(jié)果,可以通過(guò)SigXP仿真清楚的看出,L3長(zhǎng)度的不同,其結(jié)果會(huì)有不同的時(shí)延,盡可能的加長(zhǎng)S的長(zhǎng)度,則可以更好的降低時(shí)延的不對(duì)等。對(duì)于微帶線(xiàn)來(lái)說(shuō),L3大于7倍的走線(xiàn)到地的距離是必須的。
如何測(cè)試DDR?
DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面:芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,其價(jià)值一般在數(shù)百萬(wàn)美元以上。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器。測(cè)試工程師通過(guò)編程來(lái)模擬實(shí)際工作環(huán)境;另外,他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來(lái)尋找平衡點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)試儀(ATE)系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性,使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍,所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此,測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡。為此,要保證一定的測(cè)試分辨率,就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問(wèn)題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換,需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí),開(kāi)始出現(xiàn)傳輸線(xiàn)反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線(xiàn)律。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性,必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線(xiàn)模擬。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。 DDR4關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義;
DDR測(cè)試
DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種:一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒,另一種是做成DIMM條(DualIn-lineMemoryModule,雙列直插內(nèi)存模塊,主要用于服務(wù)器和PC)或SO-DIMM(SmallOutlineDIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存,主要用于筆記本)的形式插在主板上使用。在服務(wù)器領(lǐng)域,使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒(méi)有額外驅(qū)動(dòng)電路,延時(shí)較小,但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí),UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等,設(shè)計(jì)難度較大,因此UDIMM在容量和頻率上都較低,通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場(chǎng)合。 DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告;測(cè)量DDR測(cè)試代理品牌
DDR關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義;自動(dòng)化DDR測(cè)試聯(lián)系方式
8.PCBLayout在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)時(shí),考慮到SI的要求,往往有很多的折中方案。通常,需要優(yōu)先考慮對(duì)于那些對(duì)信號(hào)的完整性要求比較高的。畫(huà)PCB時(shí),當(dāng)考慮以下的一些相關(guān)因素,那么對(duì)于設(shè)計(jì)PCB來(lái)說(shuō)可靠性就會(huì)更高。1)首先,要在相關(guān)的EDA工具里設(shè)置好拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和相關(guān)約束。2)將BGA引腳突圍,將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間,由于所有這些分組操作,為了盡可能少的信號(hào)交叉,一些的管腳也許會(huì)被交換到其它區(qū)域布線(xiàn)。3)由串?dāng)_仿真的結(jié)果可知,盡量減少短線(xiàn)(stubs)長(zhǎng)度。通常,短線(xiàn)(stubs)是可以被削減的,但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤(pán)和存儲(chǔ)器焊盤(pán)之間也許只需要兩段的走線(xiàn)就可以實(shí)現(xiàn)了,但是此走線(xiàn)必須要很細(xì),那么就提高了PCB的制作成本,而且,不是所有的走線(xiàn)都只需要兩段的,除非使用微小的過(guò)孔和盤(pán)中孔的技術(shù)。終,考慮到信號(hào)完整性的容差和成本,可能選擇折中的方案。自動(dòng)化DDR測(cè)試聯(lián)系方式
DDR測(cè)試 測(cè)試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告,測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過(guò)、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開(kāi)度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶(hù)進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用戶(hù)可以通過(guò)軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外,DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波...