DDR測(cè)試

DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時(shí)，2英寸長(zhǎng)的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入，平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽；一旦測(cè)試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) DDR的信號(hào)測(cè)試和協(xié)議測(cè)試；多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

DDR測(cè)試

在進(jìn)行接收容限測(cè)試時(shí)，需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號(hào)。測(cè)試中被測(cè)件工作在環(huán)回模式，DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測(cè)件轉(zhuǎn)發(fā)并通過(guò)LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測(cè)端口。在測(cè)試前需要用示波器對(duì)誤碼儀輸出的信號(hào)進(jìn)行校準(zhǔn)，如DQS與DQ的時(shí)延校準(zhǔn)、信號(hào)幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動(dòng)校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測(cè)試的環(huán)境。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試不同種類的DDR協(xié)議測(cè)試探頭；

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來(lái)說(shuō)，其所有的信號(hào)線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當(dāng)使用6層來(lái)走線時(shí)，設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易，同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性?；ヂ?lián)通道的另一參數(shù)阻抗，在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上，且做到阻抗匹配，而對(duì)于差分信號(hào)，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端，比如CLOCK和DQS信號(hào)。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設(shè)計(jì)時(shí)，單端信號(hào)的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計(jì)到ADDR/CMD/CNTRL信號(hào)線上，這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點(diǎn)。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號(hào)的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。

DDR測(cè)試

DDR4/5與LPDDR4/5的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試由于基于DDR顆?；駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺(tái)，應(yīng)用場(chǎng)景千差萬(wàn)別，因此需要進(jìn)行詳盡的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對(duì)于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，物理層一致性測(cè)試主要是發(fā)送的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試；對(duì)于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，由于接收端出現(xiàn)了均衡器，所以還要包含接收測(cè)試。DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試也是使用高帶寬的示波器。對(duì)于DDR的信號(hào)，技術(shù)規(guī)范并沒(méi)有給出DDR信號(hào)上升/下降時(shí)間的具體參數(shù)，因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/下降時(shí)間來(lái)估算需要的示波器帶寬。通常對(duì)于DDR3信號(hào)的測(cè)試，推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測(cè)試建議的測(cè)試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測(cè)試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 DDR測(cè)試信號(hào)問(wèn)題排查；

7.時(shí)序?qū)τ跁r(shí)序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個(gè)方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個(gè)針對(duì)寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲(chǔ)器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對(duì)于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的，而對(duì)于DDR3，5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，長(zhǎng)度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR3總線的解碼方法；多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

DDR內(nèi)存條電路原理圖；多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

DDR測(cè)試

什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過(guò)RAS和CAS，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示，可以預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)和其它信號(hào)的位置。因而，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性，所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過(guò)突發(fā)模式，可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對(duì)來(lái)自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。 多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試