DDR測試

DDR5的接收端容限測試

前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進行接收容限的測試以驗證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時延、閾值的調整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調整以及均衡器技術，這也使得DDR5測試中必須關注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 DDR存儲器信號和協(xié)議測試；遼寧DDR測試故障

DDR測試

大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的。 遼寧DDR測試故障DDR測試技術介紹與工具分析；

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態(tài)隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管，不容易實現(xiàn)大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數(shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。DDR4信號質量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析；

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場的主流，DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應的工作時鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態(tài)轉換時間、高阻態(tài)時間、總線刷新時間等，因此其實際的總線傳輸速率達不到這個理想值。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

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