只在TOP和BOTTOM層進(jìn)行了布線，存儲器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成。而在DIMM的案例里，只有一個不帶緩存的DIMM被使用。對TOP/BOTTOM層布線的一個閃照圖和信號完整性仿真圖。

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在800 MHz，數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在400 MHz，數(shù)據(jù)通信率為800Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)

個經(jīng)過比較過的數(shù)據(jù)信號眼圖，一個是仿真的結(jié)果，而另一個是實際測量的。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人興奮的。

11.結(jié)論本文，針對DDR2/DDR3的設(shè)計，SI和PI的各種相關(guān)因素都做了的介紹。對于在4層板里設(shè)計800Mbps的DDR2和DDR3是可行的，但是對于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰(zhàn)性。 DDR3總線的解碼方法；北京數(shù)字信號DDR測試

3.互聯(lián)拓?fù)鋵τ贒DR2和DDR3，其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯(lián)方式，所以不需要任何的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然而例外的是，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設(shè)計中并不是這樣的。在點對點的方式時，可以很容易的通過ODT的阻抗設(shè)置來做到阻抗匹配，從而實現(xiàn)其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號，它們都是需要多點互聯(lián)的，所以需要選擇一個合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，圖2列出了一些相關(guān)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中Fly-By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種特殊的菊花鏈，它不需要很長的連線，甚至有時不需要短線（Stub）。對于DDR3，這些所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在處理噪聲方面，具有很好的波形完整性，然而在一個4層板上很難實現(xiàn)，需要6層板以上，而菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)在一個4層板上是容易實現(xiàn)的。另外，樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要求AB的長度和AC的長度非常接近（如圖2）?？紤]到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長度，同時又要滿足板層的約束要求，在基于4層板的DDR3設(shè)計中，合理的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)。天津DDR測試調(diào)試什麼是DDR內(nèi)存？如何測試？

DDR測試

內(nèi)存條測試對內(nèi)存條測試的要求是千差萬別的。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進(jìn)行過芯片級半導(dǎo)體故障的測試，因而他們的測試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯誤方面。通過采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條，可以有三種不同內(nèi)存條測試儀方案：雙循環(huán)DDR讀取測試。這恐怕是簡單的測試儀方案。大多數(shù)的測試儀公司一般對他們現(xiàn)有的SDR測試儀作一些很小的改動就將它們作為DDR測試儀推出。SDR測試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個位上。在讀取過程中，SDR測試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù)。然后，通過將數(shù)據(jù)鎖存平移半個時鐘周期，由第二循環(huán)讀偶數(shù)位。這使得測試儀能完全訪問DDR內(nèi)存單元。該方法沒有包括真正的突發(fā)測試，而且也不是真正的循環(huán)周期測試。

DDR測試

除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景，相對于同一代技術(shù)的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串?dāng)_噪聲會更敏感，其電路設(shè)計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 DDR4規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸?shù)?，而在DDR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據(jù)時序仿真的結(jié)果，時鐘信號和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優(yōu)先考慮布時鐘線和DQS。DDR信號的讀寫分離方法；遼寧HDMI測試DDR測試

DDR內(nèi)存條電路原理圖；北京數(shù)字信號DDR測試

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機(jī)、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機(jī)存儲器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場的需求和技術(shù)的升級推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了，但市場上對經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測試痛點測試和驗證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測和驗證突發(fā)的讀寫脈沖信號；配置測試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測試。北京數(shù)字信號DDR測試