4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠(yuǎn)的一個(gè)SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計(jì)中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當(dāng)切換平面層時(shí)，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進(jìn)行很好的仿真。通常，在時(shí)域分析來看，差分線的正負(fù)兩根線要做到延時(shí)匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。DDR4規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；浙江DDR測試檢修

DDR測試

DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場的主流，DDR5也開始進(jìn)入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。

克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 浙江DDR測試聯(lián)系人DDR測試眼圖測試時(shí)序測試抖動(dòng)測試；

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什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS，存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示，可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性，所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式，可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。

7.時(shí)序?qū)τ跁r(shí)序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個(gè)方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個(gè)針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的，而對于DDR3，5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR4關(guān)于信號建立保持是的定義；

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除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景，相對于同一代技術(shù)的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串?dāng)_噪聲會更敏感，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時(shí)，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 一種DDR4內(nèi)存信號測試方法；浙江DDR測試檢修

DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計(jì)；浙江DDR測試檢修

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測試軟件運(yùn)行后，示波器會自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測量并匯總成一個(gè)測試報(bào)告，測試報(bào)告中列出了測試的項(xiàng)目、是否通過、spec的要求、實(shí)測值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測量的一個(gè)例子。信號質(zhì)量的測試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質(zhì)量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測試失敗后，可以針對這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí)，測試軟件會捕獲、存儲一段時(shí)間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì)，根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對應(yīng)的波形位置， 浙江DDR測試檢修