單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。

在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設(shè)計沒有接終端的電阻端接。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。 DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大?。繙y量DDR3測試測試流程

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設(shè)計的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲心片)的設(shè)計變得簡單而廉價。因此，對于DDR系統(tǒng)設(shè)計而言，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質(zhì)上就是要保證這兩個時序圖的正確性。測量DDR3測試測試流程是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題？

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個負(fù)載時，T拓?fù)湫盘栙|(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓?fù)?。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對信號質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵DR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負(fù)載時很多 設(shè)計人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

為了改善地址信號多負(fù)載多層級樹形拓?fù)湓斐傻男盘柾暾詥栴}，DDR3/4的地址、控制、命令和時鐘信號釆用了Fly-by的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)種優(yōu)化了負(fù)載樁線的菊花鏈拓?fù)?。另外，在主板加?nèi)存條的系統(tǒng)設(shè)計中，DDR2的地址命令和控制信號一般需要在主板上加匹配電阻，而DDR3則將終端匹配電阻設(shè)計在內(nèi)存條上，在主板上不需要額外電阻，這樣可以方便主板布線，也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓?fù)鋵绗F(xiàn)的時鐘信號和選通信號“等長”問題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術(shù)進(jìn)行時序補償，這在一定程度上降低了布線難度，特別是弱化了字節(jié)間的等長要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口，新一代DDR4釆用了POD電平接口，它能夠有效降低單位比特功耗。DDR4內(nèi)存也不再使用SlewRateDerating技術(shù)，降低了傳統(tǒng)時序計算的復(fù)雜度。DDR3一致性測試期間是否會影響計算機性能？

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)。以下是對DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個時鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時序要求，包括初始時序、數(shù)據(jù)傳輸時序、刷新時序等。這些時序要求確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。DDR3一致性測試是否適用于非服務(wù)器計算機？測量DDR3測試測試流程

DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區(qū)別？測量DDR3測試測試流程

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的，嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 測量DDR3測試測試流程