單擊Next按鈕,出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口,確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。
單擊Save File with Error Check保存文件,保存結(jié)束后,單擊Start Simulation開始仿 真。仿真完成后,仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時(shí)選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式,那么仿真結(jié)果只有 Net Impedance Summary 和 Net Co叩ling Summaryo
單擊Net Impedance Summary,出現(xiàn)阻抗總結(jié)表格,包括網(wǎng)絡(luò)序號(hào)、網(wǎng)絡(luò)名稱、無參 考平面的走線數(shù)目、回流不連續(xù)的走線數(shù)目、過孔數(shù)目、比較大阻抗值、小阻抗值、主導(dǎo)阻 抗值、主導(dǎo)阻抗走線長(zhǎng)度百分比、走線總長(zhǎng)度、走線延時(shí)。 是否可以使用多個(gè)軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試?PCI-E測(cè)試DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹
DDR 規(guī)范的時(shí)序要求
在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后,下一步,我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對(duì)于信號(hào)的時(shí)序要求。這是我們所設(shè)計(jì)的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。
在規(guī)范文件中,有很多時(shí)序圖,筆者大致計(jì)算了一下,有 40 個(gè)左右。作為高速電路設(shè)計(jì)的工程師,我們不可能也沒有時(shí)間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對(duì)比驗(yàn)證,那么哪些時(shí)序圖才是我們關(guān)注的重點(diǎn)?事實(shí)上,在所有的這些時(shí)序圖中,作為 SI 工程師,我們需要關(guān)注的只有兩個(gè),那就是規(guī)范文件的第 69 頁,關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個(gè)基本的時(shí)序圖(注意,這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器,也即 FPGA 的角度來講的)。為方便讀者閱讀,筆者把這兩個(gè)時(shí)序圖拼在了一起,而其他的時(shí)序圖的實(shí)現(xiàn)都是以這兩個(gè)圖為基礎(chǔ)的。在板級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,只要滿足了這兩個(gè)時(shí)序圖的質(zhì)量,其他的時(shí)序關(guān)系要求都是對(duì)這兩個(gè)時(shí)序圖邏輯功能的擴(kuò)展,應(yīng)該是 DDR 控制器的邏輯設(shè)計(jì)人員所需要考慮的事情。 內(nèi)蒙古DDR3測(cè)試規(guī)格尺寸DDR3一致性測(cè)試期間會(huì)測(cè)試哪些方面?
為了改善地址信號(hào)多負(fù)載多層級(jí)樹形拓?fù)湓斐傻男盘?hào)完整性問題,DDR3/4的地址、控制、命令和時(shí)鐘信號(hào)釆用了Fly-by的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)種優(yōu)化了負(fù)載樁線的菊花鏈拓?fù)?。另外,在主板加?nèi)存條的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,DDR2的地址命令和控制信號(hào)一般需要在主板上加匹配電阻,而DDR3則將終端匹配電阻設(shè)計(jì)在內(nèi)存條上,在主板上不需要額外電阻,這樣可以方便主板布線,也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓?fù)鋵绗F(xiàn)的時(shí)鐘信號(hào)和選通信號(hào)“等長(zhǎng)”問題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術(shù)進(jìn)行時(shí)序補(bǔ)償,這在一定程度上降低了布線難度,特別是弱化了字節(jié)間的等長(zhǎng)要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口,新一代DDR4釆用了POD電平接口,它能夠有效降低單位比特功耗。DDR4內(nèi)存也不再使用SlewRateDerating技術(shù),降低了傳統(tǒng)時(shí)序計(jì)算的復(fù)雜度。
DDR3(Double Data Rate 3)是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時(shí)序要求:
初始時(shí)序(Initialization Timing)tRFC:內(nèi)存行刷新周期,表示在關(guān)閉時(shí)需要等待多久才能開啟并訪問一個(gè)新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA:行預(yù)充電時(shí)間、行開放時(shí)間和行訪問時(shí)間,分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時(shí)間、行打開后需要等待的短時(shí)間以及行訪問的持續(xù)時(shí)間。tWR:寫入恢復(fù)時(shí)間,表示每次寫操作之間小需要等待的時(shí)間。數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序(Data Transfer Timing)tDQSS:數(shù)據(jù)到期間延遲,表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長(zhǎng)時(shí)間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK:數(shù)據(jù)到時(shí)鐘延遲,表示從數(shù)據(jù)到達(dá)內(nèi)存控制器到時(shí)鐘信號(hào)的延遲。tWTR/tRTW:不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時(shí)間,包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL:CAS延遲,即列訪問延遲,表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時(shí)序(Refresh Timing)tRFC:內(nèi)存行刷新周期,表示多少時(shí)間需要刷新一次內(nèi)存行。 如何確保DDR3一致性測(cè)試的可靠性和準(zhǔn)確性?
單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段,對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。
單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個(gè)網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)信息,內(nèi) 容包括走線名稱、走線長(zhǎng)度百分比、走線阻抗、走線長(zhǎng)度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時(shí),
單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱,可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 DDR3一致性測(cè)試期間如何設(shè)置測(cè)試環(huán)境?北京眼圖測(cè)試DDR3測(cè)試
DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)影響計(jì)算機(jī)性能?PCI-E測(cè)試DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹
· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),Specification:如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議,那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),讀懂規(guī)范之后,才能開始設(shè)計(jì)。
因此,為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊,需要的技術(shù)資料和文檔。
由于我們要設(shè)計(jì) DDR 存儲(chǔ)模塊,那么在所有的資料當(dāng)中,應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對(duì) DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀,我們了解到,設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 接口,需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC,AC 特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀,如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 PCI-E測(cè)試DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹
深圳市力恩科技有限公司致力于儀器儀表,是一家服務(wù)型公司。力恩科技致力于為客戶提供良好的實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀,一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,在儀器儀表深耕多年,以技術(shù)為先導(dǎo),以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),打造儀器儀表良好品牌。力恩科技秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念,全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。
常見的信號(hào)質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號(hào)質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號(hào)幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號(hào) 端接使DDR信號(hào)質(zhì)量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號(hào)質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號(hào)為例,通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號(hào)質(zhì)量仿真。 在本案例中客戶反映實(shí)測(cè)CLK信號(hào)質(zhì)量不好。CLK信號(hào)從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (...