9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個(gè)或更多的DIMM,獨(dú)有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別。在DIMM組里,對(duì)于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里,帶有少的短線菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是適用的。
10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則,在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里,都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用。在下面的案例中,我們采用MOSAID公司的控制器,它提供了對(duì)DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面,采用了IBIS模型,其存儲(chǔ)器的模型來(lái)自MICRONTechnolgy,Inc。對(duì)于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里,數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對(duì)于不帶緩存(unbufferedDIMM(MT_DDR3_0542cc)EBD模型是來(lái)自MicronTechnology,下面所有的波形都是采用通常的測(cè)試方法,且是在SDRAMdie級(jí)進(jìn)行計(jì)算和仿真的。 DDR協(xié)議檢查后生成的測(cè)試報(bào)告;多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試
6.信號(hào)及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號(hào)切換情況下,其電源的容差性。當(dāng)未符合此容差要求時(shí),將會(huì)導(dǎo)致很多的問題,比如加大時(shí)鐘抖動(dòng)、數(shù)據(jù)抖動(dòng)和串?dāng)_。這里,可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論,現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent(1)在這里,關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流(TransientCurrent)的影響,另一個(gè)重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里,去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗(Ztarget)。在一塊PCB上,由電源和地層所構(gòu)成的電容,以及所有的去耦電容,必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下,在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進(jìn)行去耦。而頻率在200MHz以上的,則應(yīng)該由片上電容或用的封裝好的電容進(jìn)行去耦。多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試主流DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的比較;
DDR測(cè)試信號(hào)和協(xié)議測(cè)試
DDR4一致性測(cè)試工作臺(tái)(用示波器中的一致性測(cè)試軟件分析DDR仿真波形)對(duì)DDR5來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于DDR5顆?;駾IMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。
克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
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DDR測(cè)試
測(cè)試頭設(shè)計(jì)模擬針對(duì)測(cè)試的設(shè)計(jì)(DFT)當(dāng)然收人歡迎,但卻不現(xiàn)實(shí)。因?yàn)樽詣?dòng)測(cè)試儀的所需的測(cè)試時(shí)間與花費(fèi)正比于內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)容量。顯然測(cè)試大容量的DDR芯片花費(fèi)是相當(dāng)可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視,所以人們不斷試圖集結(jié)能有效控制和觀察的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。DFT技術(shù),如JEDEC提出的采用并行測(cè)試模式進(jìn)行多陣列同時(shí)測(cè)試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸,該方案沒有被采納。DDR作為一種商品,必須比較大限度減小芯片尺寸來(lái)保持具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)位。 協(xié)助DDR有那些工具測(cè)試;
一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù):2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用,測(cè)量服務(wù)器內(nèi)存的信號(hào)完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存,為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,ddr4鏈路的測(cè)試對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)性能評(píng)估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號(hào)的測(cè)試無(wú)法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫分離,只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫命令來(lái)進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y(cè)試,效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形,在信號(hào)完整性測(cè)試上有比較大的風(fēng)險(xiǎn)。DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計(jì);多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試
DDR3規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立;多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試
什麼是DDR內(nèi)存?如何測(cè)試?
近幾年來(lái),CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而,計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意。在1999年,大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間,英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代,每一種新技術(shù)的出現(xiàn),就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為:內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過程中得到充分體現(xiàn):3維游戲的速度更快,MP3音樂的播放更加柔和,MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年,一種新型內(nèi)存:DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō),DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞,然而,它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來(lái)通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高,然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。 多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試
深圳市力恩科技有限公司位于深圳市南山區(qū)南頭街道南聯(lián)社區(qū)中山園路9號(hào)君翔達(dá)大廈辦公樓A201,是一家專業(yè)的一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:儀器儀表的研發(fā)、租賃、銷售、上門維修;物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;無(wú)源射頻產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;電子產(chǎn)品及電子元器件的銷售;儀器儀表、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)源射頻產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)咨詢;軟件的研發(fā)以及銷售,軟件技術(shù)咨詢服務(wù)等。公司。克勞德是深圳市力恩科技有限公司的主營(yíng)品牌,是專業(yè)的一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:儀器儀表的研發(fā)、租賃、銷售、上門維修;物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;無(wú)源射頻產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;電子產(chǎn)品及電子元器件的銷售;儀器儀表、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)源射頻產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)咨詢;軟件的研發(fā)以及銷售,軟件技術(shù)咨詢服務(wù)等。公司,擁有自己**的技術(shù)體系。公司堅(jiān)持以客戶為中心、一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:儀器儀表的研發(fā)、租賃、銷售、上門維修;物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;無(wú)源射頻產(chǎn)品的研發(fā)及銷售;電子產(chǎn)品及電子元器件的銷售;儀器儀表、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)源射頻產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)咨詢;軟件的研發(fā)以及銷售,軟件技術(shù)咨詢服務(wù)等。市場(chǎng)為導(dǎo)向,重信譽(yù),保質(zhì)量,想客戶之所想,急用戶之所急,全力以赴滿足客戶的一切需要。自公司成立以來(lái),一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀,從而使公司不斷發(fā)展壯大。
DDR測(cè)試 測(cè)試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告,測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外,DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波...