每個(gè) DDR 芯片獨(dú)享 DQS，DM 信號(hào)；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)?！DR 工作頻率為 133MHz?！DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號(hào)為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來(lái)講，對(duì)于經(jīng)過(guò)選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。

· 器件數(shù)據(jù)手冊(cè) Datasheet：這個(gè)是必須要有的。如果沒(méi)有器件手冊(cè)，是沒(méi)有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的（一般經(jīng)過(guò)選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè)）。 是否可以使用多個(gè)軟件工具來(lái)執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試？通信DDR3測(cè)試市場(chǎng)價(jià)

DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來(lái)說(shuō)明，如何在一個(gè) DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。是某項(xiàng)目中，對(duì) DDR 系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對(duì) DDR 的設(shè)計(jì)需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個(gè) DDR 功能模塊由四個(gè) 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲(chǔ)芯片 MT46V64M8BN-75。每個(gè) DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存儲(chǔ)單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個(gè) Bank，尋址信號(hào)為 BA<1..0>。

通信DDR3測(cè)試市場(chǎng)價(jià)什么是DDR3一致性測(cè)試？

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào)；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào)；DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào)；DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。

開(kāi)始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào)，以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆](méi)有多個(gè)Rank, 所以本例將把地址命令信號(hào)和控制信號(hào)合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個(gè)Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號(hào)，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對(duì)應(yīng)Strobe信號(hào)），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。

 如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來(lái)設(shè)置模型。

在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來(lái)的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕，加載模型。

加載模型后，選擇文件下的Controller器件模型，然后單擊Assign 按鈕，將這個(gè)器件模型賦置給U100器件。 如何進(jìn)行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測(cè)試？

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)的，嚴(yán)格地說(shuō)DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡(jiǎn)介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過(guò)幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 DDR3一致性測(cè)試是否會(huì)導(dǎo)致操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序崩潰？山西DDR3測(cè)試聯(lián)系方式

DDR3一致性測(cè)試和DDR3速度測(cè)試之間有什么區(qū)別？通信DDR3測(cè)試市場(chǎng)價(jià)

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote：在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。

· 參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesign：對(duì)于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。

· IBIS 文件：這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過(guò)。 通信DDR3測(cè)試市場(chǎng)價(jià)