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企業(yè)商機(jī)
DDR3測(cè)試基本參數(shù)
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DDR3測(cè)試企業(yè)商機(jī)

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃:Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)?

DDR1/2控制命令等信號(hào),均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升,當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí),T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差,因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 F拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過(guò)前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí),T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響,仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片,IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒,IBIS模型文件為。

分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D,可以看到2片負(fù)載 時(shí),F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用不是特別明顯,因此在2片負(fù)載時(shí)很多 設(shè)計(jì)人員還是習(xí)慣使用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 DDR3一致性測(cè)試和DDR3速度測(cè)試之間有什么區(qū)別?校準(zhǔn)DDR3測(cè)試配件

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DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ,簡(jiǎn)稱為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度,它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫數(shù)據(jù),因而其數(shù)據(jù)速率是標(biāo)準(zhǔn) SDRAM 的兩倍,至于地址與控制信號(hào)與傳統(tǒng) SDRAM 相同,仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數(shù)據(jù)判決。  DDR 與 SDRAM 的對(duì)比DDR 是一個(gè)總線系統(tǒng),總線包括地址線、數(shù)據(jù)信號(hào)線以及時(shí)鐘、控制線等。其中數(shù)據(jù)信號(hào)線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調(diào)整,但是必須以字節(jié)為單位進(jìn)行調(diào)整,例如,可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),地址和控制總線是單向信號(hào),只能從控制器傳向存儲(chǔ)芯片,而數(shù)據(jù)信號(hào)則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)DDR 的地址信號(hào)線除了用來(lái)尋址以外,還被用做控制命令的一部分,因此,地址線和控制信號(hào)統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表。可以看到,DDR 控制器對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作,就是通過(guò)控制信號(hào)的狀態(tài)和地址信號(hào)的組合來(lái)完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 電氣性能測(cè)試DDR3測(cè)試PCI-E測(cè)試為什么要進(jìn)行DDR3一致性測(cè)試?

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重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻,其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕,在界面中設(shè)置電阻模型后,單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來(lái)設(shè)置。

 閉賦模型窗口,在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項(xiàng) 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù),如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說(shuō)當(dāng)耦合線長(zhǎng)度超過(guò)lOOmil時(shí),按耦合模型提取,少于lOOmil時(shí),按單線模 型提取。

 單擊Via modeling setup按鈕,在過(guò)孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因?yàn)橐抡娴臅r(shí)鐘頻率是533MHz)。

 單擊OK按鈕,關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單,選擇DDR1_CK這個(gè)網(wǎng)絡(luò)(或者可以直接在Allegro界面中選取 網(wǎng)絡(luò))??梢钥吹揭?yàn)橐呀?jīng)設(shè)置好差分線和差分模型,所以會(huì)自動(dòng)帶出差分線DDRl_NCKo DDR3一致性測(cè)試是否對(duì)不同廠商的內(nèi)存模塊有效?

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使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例,來(lái)講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 存儲(chǔ)系統(tǒng),包括從系統(tǒng)性能分析,資料準(zhǔn)備和整理,仿真模型的驗(yàn)證和使用,布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用,一直到的 PCB 布線完成,一整套設(shè)計(jì)方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路和方法。隨著技術(shù)的發(fā)展,DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變,DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場(chǎng)淘汰,而 DDR3 是目前存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流技術(shù)。

并且,隨著設(shè)計(jì)水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及,大多數(shù)工程師都已經(jīng)對(duì)如何設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 系統(tǒng)不再陌生,基本上按照通用的 DDR 設(shè)計(jì)規(guī)范或者參考案例,在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下,都能夠一次成功設(shè)計(jì)出可以「運(yùn)行」的 DDR 系統(tǒng),DDR 系統(tǒng)的布線不再是障礙。但是,隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升,又給 DDR3 的設(shè)計(jì)者帶來(lái)了另外一個(gè)難題,那就是系統(tǒng)時(shí)序不穩(wěn)定。因此,基于這樣的現(xiàn)狀,在本書的這個(gè)章節(jié)中,著重介紹 DDR 系統(tǒng)體系的發(fā)展變化,以及 DDR3 系統(tǒng)的仿真技術(shù),也就是說(shuō),在布線不再是 DDR3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)難題的情況下,如何通過(guò)布線后仿真,驗(yàn)證并保證 DDR3 系統(tǒng)的穩(wěn)定性是更加值得關(guān)注的問(wèn)題。 DDR3一致性測(cè)試的目標(biāo)是什么?吉林多端口矩陣測(cè)試DDR3測(cè)試

DDR3一致性測(cè)試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境?校準(zhǔn)DDR3測(cè)試配件

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格,包括網(wǎng)絡(luò)序號(hào)、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長(zhǎng)度百分比、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意,在彩圖 上方有一排工具欄,通過(guò)下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組,選擇不同的接收端器件,選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段,對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 校準(zhǔn)DDR3測(cè)試配件

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