7.時序?qū)τ跁r序的計算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的，而對于DDR3，5項和6項不需要考慮。在PCB設(shè)計時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR3的DIMM接口協(xié)議測試探頭；上海DDR測試調(diào)試

3.互聯(lián)拓?fù)鋵τ贒DR2和DDR3，其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯(lián)方式，所以不需要任何的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然而例外的是，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設(shè)計中并不是這樣的。在點對點的方式時，可以很容易的通過ODT的阻抗設(shè)置來做到阻抗匹配，從而實現(xiàn)其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號，它們都是需要多點互聯(lián)的，所以需要選擇一個合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，圖2列出了一些相關(guān)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中Fly-By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種特殊的菊花鏈，它不需要很長的連線，甚至有時不需要短線（Stub）。對于DDR3，這些所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在處理噪聲方面，具有很好的波形完整性，然而在一個4層板上很難實現(xiàn)，需要6層板以上，而菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)在一個4層板上是容易實現(xiàn)的。另外，樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要求AB的長度和AC的長度非常接近（如圖2）?？紤]到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長度，同時又要滿足板層的約束要求，在基于4層板的DDR3設(shè)計中，合理的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)。山西DDR測試商家DDR測試技術(shù)介紹與工具分析；

1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600Mbps。對于如此高的速度，從PCB的設(shè)計角度來幫大家分析，要做到嚴(yán)格的時序匹配，以滿足信號的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓?fù)?、時延匹配、串?dāng)_、信號及電源完整性和時序，目前，有很多EDA工具可以對它們進(jìn)行很好的計算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求

DDR測試

測試軟件運(yùn)行后，示波器會自動設(shè)置時基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測量并匯總成一個測試報告，測試報告中列出了測試的項目、是否通過、spec的要求、實測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質(zhì)量的測試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質(zhì)量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個關(guān)鍵參數(shù)測試失敗后，可以針對這個參數(shù)進(jìn)行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計，根據(jù)統(tǒng)計結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時對應(yīng)的波形位置， DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當(dāng)未符合此容差要求時，將會導(dǎo)致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數(shù)據(jù)抖動和串?dāng)_。這里，可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論，現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構(gòu)成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進(jìn)行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應(yīng)該由片上電容或用的封裝好的電容進(jìn)行去耦。不同種類的DDR協(xié)議測試探頭；山西信息化DDR測試

DDR測試USB眼圖測試設(shè)備？上海DDR測試調(diào)試

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存儲器),這種存儲器運(yùn)行速度較快，主要用于程序運(yùn)行時的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分上海DDR測試調(diào)試

深圳市力恩科技有限公司是以提供實驗室配套，誤碼儀，協(xié)議分析儀，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀內(nèi)的多項綜合服務(wù)，為消費者多方位提供實驗室配套，誤碼儀，協(xié)議分析儀，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，公司始建于2014-04-03，在全國各個地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。公司承擔(dān)并建設(shè)完成儀器儀表多項重點項目，取得了明顯的社會和經(jīng)濟(jì)效益。產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可。