每個 DDR 芯片獨享 DQS，DM 信號；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號?！DR 工作頻率為 133MHz?！DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設(shè)計需求之后，我們首先要進行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準備相關(guān)的設(shè)計資料。一般來講，對于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個器件進行相關(guān)設(shè)計，需要有如下資料。

· 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet：這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進行設(shè)計的（一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊）。 是否可以通過調(diào)整時序設(shè)置來解決一致性問題？青海DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準

還可以給這個Bus設(shè)置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關(guān)系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對應(yīng)Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 設(shè)備DDR3測試參考價格DDR3一致性測試期間可能發(fā)生的常見錯誤有哪些？

常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質(zhì)量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。

在本案例中客戶反映實測CLK信號質(zhì)量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作。

重復(fù)以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關(guān)系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。

3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 DDR3一致性測試是否包括高負載或長時間運行測試？

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?，也就是?qū)動器能發(fā)出什么樣的信號，接收器能接受和判別什么樣的信號，用術(shù)語講，就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實際設(shè)計中，除了要精確設(shè)計供電電源模塊之外，還需要對整個電源系統(tǒng)進行PI仿真，而這是高速系統(tǒng)設(shè)計中另一個需要考慮的問題，在這里我們先不討論它，暫時認為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 DDR3一致性測試是否對不同廠商的內(nèi)存模塊有效？解決方案DDR3測試維修價格

是否可以在運行操作系統(tǒng)時執(zhí)行DDR3一致性測試？青海DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內(nèi)存模塊通常以多個內(nèi)存芯片排列組成，其中每個內(nèi)存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題，確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。青海DDR3測試執(zhí)行標(biāo)準