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真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射出來的粒子在飛向基體過程中易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞，導(dǎo)致運(yùn)動方向隨機(jī)化，使得沉積的膜易于均勻。發(fā)展起來的規(guī)模性磁控濺射鍍膜，沉積速率較高，工藝重復(fù)性好，便于自動化，已適當(dāng)于大型建筑裝飾鍍膜及工業(yè)材料的功能性鍍膜，如TGN-JR型用多弧或磁控濺射在卷材的泡沫塑料及纖維織物表面鍍鎳Ni及銀Ag的生產(chǎn)制備。濺射鍍膜可分為直流濺射、射頻濺射和磁控濺射，其對應(yīng)的輝光放電電壓源和控制場分別為高壓直流電、射頻(RF)交流電和磁控(M)場。真空鍍膜中等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積可在較低溫度下形成固體膜。深圳真空鍍膜服務(wù)價格真空鍍膜：電阻加熱蒸發(fā)法：電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)...

真空鍍膜：真空涂層技術(shù)發(fā)展到了現(xiàn)在還出現(xiàn)了PCVD（物理化學(xué)氣相沉積）、MT-CVD（中溫化學(xué)氣相沉積）等新技術(shù)，各種涂層設(shè)備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，容易操作。多弧鍍的不足之處是，在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下，當(dāng)涂層厚度達(dá)到0。3um時，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開始變朦。多弧鍍另一個不足之處是，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差。可見，多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣，為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性，實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)，將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層...

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時，物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜...

真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：在等離子化學(xué)氣相沉積法中,等離子體中電子溫度高達(dá)104K,電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程,生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán),產(chǎn)生大量反應(yīng)活性物種而使整個反應(yīng)體系卻保持較低溫度。而普通的CVD法沉積溫度高(一般為1100℃),當(dāng)在鋼材表面沉積氮化鈦薄膜時,由于溫度很高,致使膜層與基體間常有脆性相出現(xiàn),致使刀具的切削壽命降低。利用直流等離子化學(xué)氣相沉積法,在硬質(zhì)臺金上沉積TiN膜結(jié)構(gòu)與性能均勻。真空鍍膜機(jī)鍍鋁層導(dǎo)電性能好，能消除靜電效應(yīng)。云南真空鍍膜價錢磁控濺射包括很多種類各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場與電場交互作用，使...

針對PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散，并加速反應(yīng)過程，有利于形成擴(kuò)散附著，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能。對薄膜進(jìn)行熱處理，非平衡缺陷大量消失，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài)，緩解應(yīng)力帶來的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力 真空鍍膜的操作規(guī)程：在用電子頭鍍膜時，應(yīng)在鐘罩周圍上鋁板。廣東金屬真空鍍膜真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE...

ALD允許在原子層水平上精確控制膜厚度。而且，可以相對容易地形成不同材料的多層結(jié)構(gòu)。由于其高反應(yīng)活性和精度，它在精細(xì)和高效的半導(dǎo)體領(lǐng)域（如微電子和納米技術(shù)）中非常有用。由于ALD通常在相對較低的溫度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物樣品時是有用的，并且在使用易于熱解的前體時也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以輕松地應(yīng)用于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的粉末和形狀。 眾所周知，ALD工藝非常耗時。例如，氧化鋁的膜形成為每個循環(huán)0.11nm，并且每小時的標(biāo)準(zhǔn)膜形成量為100至300nm。由于ALD通常用于制造微電子和納米技術(shù)的基材，因此不需要厚膜形成。通常，當(dāng)需要大約μm的膜厚度時，就膜形成時間而言，ALD...

ALD允許在原子層水平上精確控制膜厚度。而且，可以相對容易地形成不同材料的多層結(jié)構(gòu)。由于其高反應(yīng)活性和精度，它在精細(xì)和高效的半導(dǎo)體領(lǐng)域（如微電子和納米技術(shù)）中非常有用。由于ALD通常在相對較低的溫度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物樣品時是有用的，并且在使用易于熱解的前體時也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以輕松地應(yīng)用于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的粉末和形狀。 眾所周知，ALD工藝非常耗時。例如，氧化鋁的膜形成為每個循環(huán)0.11nm，并且每小時的標(biāo)準(zhǔn)膜形成量為100至300nm。由于ALD通常用于制造微電子和納米技術(shù)的基材，因此不需要厚膜形成。通常，當(dāng)需要大約μm的膜厚度時，就膜形成時間而言，ALD...

蒸發(fā)法鍍膜是將固體材料置于真空室內(nèi)，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發(fā)，蒸發(fā)出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當(dāng)把一些加工好的基板材料放在其中時，蒸發(fā)出來的原子或分子就會吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據(jù)蒸發(fā)源不同，真空蒸發(fā)鍍膜法又可 以分為四種：電阻蒸發(fā)源蒸鍍法；電子束蒸發(fā)源蒸鍍法；高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法；激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。本實(shí)驗采用電阻蒸發(fā)源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發(fā)鍍膜，要求從蒸發(fā)源出來的蒸汽分子或原子，到達(dá)被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內(nèi)殘余氣體分子的平均自由程，這樣才能保證蒸發(fā)物的蒸汽分子能無碰撞地到達(dá)基片表面。保證薄膜純凈和牢固，蒸發(fā)物也不至于氧化。真空鍍膜的操作規(guī)程：把零...

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法。當(dāng)膜料蒸發(fā)時，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊，通過動量轉(zhuǎn)移，使淀積粒子獲得較大動能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源?；魻栯x子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽極上方發(fā)出熱電子，在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發(fā)散角大，維護(hù)容易。真空鍍膜的操作規(guī)程：在用電子頭鍍膜時...

真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴(yán)格的監(jiān)控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優(yōu)點(diǎn)在于能生長極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結(jié)構(gòu)器件,從而為制作集成光學(xué)和超大規(guī)模集成電路提供了有力手段。利用反應(yīng)分子束外延法制備TiO2薄膜時,不需要考慮中間的化學(xué)反應(yīng),又不受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊?并且利用開閉擋板(快門)來實(shí)現(xiàn)對生長和中斷的瞬時控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調(diào)整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優(yōu)點(diǎn)。真空鍍膜機(jī)模具滲碳是為了提...

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因為在低壓環(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。真空鍍膜的操作規(guī)程：鍍制多層介質(zhì)膜的鍍膜間，應(yīng)安裝通風(fēng)吸塵裝置，及時排除有害粉塵。開封UV真空鍍膜...

磁控濺射是物理沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率，可以在樣品表面蒸鍍致密的薄膜。真空鍍膜中制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。真空鍍膜工藝流程真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經(jīng)加速陽極...

原子層沉積技術(shù)和其他薄膜制備技術(shù)。與傳統(tǒng)的薄膜制備技術(shù)相比，原子層沉積技術(shù)優(yōu)勢明顯。傳統(tǒng)的溶液化學(xué)方法以及濺射或蒸鍍等物理方法（PVD）由于缺乏表面控制性或存在濺射陰影區(qū)，不適于在三維復(fù)雜結(jié)構(gòu)襯底表面進(jìn)行沉積制膜?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）方法需對前驅(qū)體擴(kuò)散以及反應(yīng)室溫度均勻性嚴(yán)格控制，難以滿足薄膜均勻性和薄厚精確控制的要求。相比之下，原子層沉積技術(shù)基于表面自限制、自飽和吸附反應(yīng)，具有表面控制性，所制備薄膜具有優(yōu)異的三維共形性、大面積的均勻性等特點(diǎn)，適應(yīng)于復(fù)雜高深寬比襯底表面沉積制膜，同時還能保證精確的亞單層膜厚控制。因此，原子層沉積技術(shù)在微電子、能源、信息等領(lǐng)域得到應(yīng)用。真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好。西...

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。浙江小家電真空鍍膜等離子體化學(xué)氣相...

PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時，反應(yīng)氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴(yán)格控制氣體流量，通常采用質(zhì)量流量計來實(shí)現(xiàn)精確控制。PECVD反應(yīng)過程中，反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴(kuò)散至襯底表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在...

真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進(jìn)行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù)，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到較小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對于濕式鍍膜而言是無法實(shí)現(xiàn)的。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化，從而地提...

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動，它們的運(yùn)動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。揚(yáng)州真空...

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對被鍍材料的污染，達(dá)到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā)。這對于保證膜的成分，防止膜的分...

真空鍍膜：近些年來出現(xiàn)的新方法：除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，取長補(bǔ)短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn)，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(HighTargetUtilizationPlasmaSputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等...

電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā)。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于沉積區(qū)域外以避免污染）并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點(diǎn)。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導(dǎo)向蒸發(fā)材料（放置在坩堝中）。在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過程中，其動能轉(zhuǎn)化為熱量，釋放出高能量（每平方英寸數(shù)百萬瓦以上）。因此，容納蒸發(fā)材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發(fā)設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，而且可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，在蒸鍍合金時可以實(shí)現(xiàn)快速蒸發(fā)，避免合金的分餾，其鍍膜質(zhì)量也可以達(dá)到較高水平，可以廣泛應(yīng)用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學(xué)材料表面鍍膜，是一種可易于實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)的成熟鍍膜技術(shù)。真空鍍膜技術(shù)四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用...

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢，因而被普遍應(yīng)用，這是因為：反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。浙江真空鍍膜公司真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面，使靶...

原子層沉積技術(shù)憑借其獨(dú)特的表面化學(xué)生長原理、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復(fù)雜三維高深寬比表面沉積，自截止生長等特點(diǎn)，特別適合薄層薄膜材料的制備。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽（ODPA）對Cu的選擇性吸附，在預(yù)先吸附有ODPA分子的襯底表面進(jìn)行ALD沉積Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉積，從而得到被高k絕緣材料Al2O3所間隔的空間選擇性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，電鏡照片表明該沉積方法的區(qū)域選擇性得到了有效保證。真空鍍膜的操作規(guī)程：在離子轟擊和蒸發(fā)時，應(yīng)特別注意高壓電線接頭，不得觸動，以防觸電。嘉興真空鍍膜涂料電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是一種制備高純物質(zhì)薄膜的主要方法...

真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較，具有下列優(yōu)點(diǎn)：薄膜和基體選材普遍，薄膜厚度可進(jìn)行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好，薄膜牢固。干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無環(huán)境污染。真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn)：各種鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運(yùn)動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響...

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種輔助鍍膜方法。當(dāng)膜料蒸發(fā)時，淀積分子在基板表面不斷受到來自離子源的荷能離子的轟擊，通過動量轉(zhuǎn)移，使淀積粒子獲得較大動能，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加，使得薄膜生長發(fā)生了根本變化，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源、霍爾離子源。霍爾離子源是近年發(fā)展起來的一種低能離子源。這種源沒有柵極，陰極在陽極上方發(fā)出熱電子，在磁場作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率。正離子因陰極與陽極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高，發(fā)散角大，維護(hù)容易。真空濺射鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。鹽城...

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料，大量應(yīng)用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應(yīng)用范圍。真空鍍膜機(jī)在集成電路制造中的應(yīng)用：PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技...

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時，物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜...

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物理的氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理的氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理的氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有較佳的金屬光澤，光反射率可達(dá)97%。無錫小家電真空鍍膜電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等...

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.均勻性和重復(fù)性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應(yīng)用范圍廣，設(shè)備簡單，易于產(chǎn)業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質(zhì)量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過快，會導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質(zhì)量比較差?；瘜W(xué)氣相沉積是真空鍍膜技術(shù)的一種。三亞真空鍍膜真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化...

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料，大量應(yīng)用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應(yīng)用范圍。分子束外延是一種很特殊的真空鍍膜工藝。嘉興真空鍍膜儀原子層沉積技術(shù)和其他薄膜制備技術(shù)。與傳...

真空鍍膜的方法：離子鍍：離子鍍Z早是由D。M。Mattox在1963年提出的。在真空條件下,利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化,在氣體離子或蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時,把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物蒸鍍在基片上。離子鍍是將輝光放電、等離子技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)相結(jié)合的一門新型鍍膜技術(shù)。它兼具真空蒸鍍和濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn),由于荷能粒子對基體表面的轟擊,可以使膜層附著力強(qiáng),繞射性好,沉積速率高,對環(huán)境無污染等好處。離子鍍的種類多種多樣,根據(jù)鍍料的氣化方式(電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、多弧加熱、高頻感應(yīng)加熱等)、氣化分子或原子的離化和激發(fā)方式(輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型等),以及不同...