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真空鍍膜：技術原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬、金屬合金等蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料，使蒸發(fā)成氣相，然后沉積在基體表面，歷史上，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術。真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。東莞小家電真空鍍膜廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。...

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時還會產生大量的廢液，造成嚴重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。真空鍍膜技術有真空蒸發(fā)鍍膜。德陽真空鍍膜真空鍍膜的方法：濺射鍍...

真空鍍膜：在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業(yè)應用，工業(yè)化大規(guī)模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料），屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。真空鍍膜鍍料的氣化：即通入交流電后，使鍍料蒸發(fā)氣化。寶...

所謂的原子層沉積技術，是指通過將氣相前驅體交替脈沖通入反應室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學吸附反應形成薄膜的一種方法。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續(xù)化學反應的薄膜形成技術?；瘜W氣相沉積：1個是分類的（CVD的化學氣相沉積）。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學物質執(zhí)行的。每種前體以連續(xù)和自我控制的方式與物體表面反應。通過依次重復對每個前體的曝光來逐漸形成薄膜。ALD是半導體器件制造中的重要過程，部分設備也可用于納米材料合成。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間(或決定于裝料量)，并與源和基片的距離有關。朝陽真空鍍膜涂料真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊...

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。真空鍍膜是一種比較理想的薄膜制備...

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經加速陽極加速,獲得動能轟擊處于陽極的蒸發(fā)材料,是蒸發(fā)材料加熱氣化,實現蒸發(fā)鍍膜。這種技術相對于蒸發(fā)鍍膜,可以制作高熔點和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。高頻感應蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場的感應下產生強大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術。這種技術比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大,且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定。真空鍍膜鍍的薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。西安PVD真空鍍膜電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。同時...

磁控濺射的優(yōu)勢在于可根據靶材的性質來選擇使用不同的靶電源進行濺射，靶電源分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質膜的濺射，也可以進行常規(guī)金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料，而直流脈沖靶介于二者之間，可濺射硅、鍺等半導體材料。磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料，使用范圍廣，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料。真空鍍膜中離...

真空鍍膜：反應磁控濺射法：反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發(fā)展。真空鍍膜機大功率脈沖磁控濺射技術的脈沖峰值功率是普通磁控濺射的100倍，在1000~3000W/cm2范圍。納米涂層真空鍍膜儀真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發(fā)性地蒸...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應蒸鍍法(ABE)。利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品?？招年帢O離子鍍(HCD)。利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品...

原子層沉積過程由A、B兩個半反應分四個基元步驟進行：1）前驅體A脈沖吸附反應；2）惰氣吹掃多余的反應物及副產物；3）前驅體B脈沖吸附反應；4）惰氣吹掃多余的反應物及副產物，然后依次循環(huán)從而實現薄膜在襯底表面逐層生長。基于原子層沉積的原理，利用原子層沉積制備高質量薄膜材料，三大要素必不可少：1）前驅體需滿足良好的揮發(fā)性、足夠的反應活性以及一定熱穩(wěn)定性，前驅體不能對薄膜或襯底具有腐蝕或溶解作用；2）前驅體脈沖時間需保證單層飽和吸附；3）沉積溫度應保持在ALD窗口內，以避免因前驅體冷凝或熱分解等引發(fā)CVD生長從而使得薄膜不均勻。真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面。江門納米涂層真空鍍膜真空鍍膜技術一...

真空鍍膜：在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業(yè)應用，工業(yè)化大規(guī)模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料），屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。真空鍍膜中離子鍍簡化可以大量的鍍前清洗工作。甘肅真空鍍...

電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點材料，比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快，制成的薄膜純度高、質量好，通過晶振控制，厚度可以較準確地控制，可以廣泛應用于制備高純薄膜和各種光學材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面，臺階覆蓋性比較差，如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力，建議使用磁控濺射。在蒸發(fā)溫度以上進行蒸發(fā)試，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此，在鍍膜過程中，想要控制蒸發(fā)速率，必須精確控制蒸發(fā)源的溫度，加熱時應盡量避免產生過大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個數量級左右。真空鍍膜鍍層繞鍍能力強。...

電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā).大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區(qū)域外以避免污染)并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點.使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發(fā)材料(放置在坩堝中).在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過程中,其動能轉化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數百萬瓦以上).因此,容納蒸發(fā)材料的爐床必須水冷以避免熔化.電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)的區(qū)別在于:電子束蒸發(fā)是用一束電子轟擊物體,產生高能量進行蒸發(fā), 熱蒸發(fā)通過加熱完成這一過程.與熱蒸發(fā)相比,電子束蒸發(fā)提供了高能量;但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的.在這種情況下,帶有厚度監(jiān)控器的良好熱蒸發(fā)器將更合適。真空鍍膜被稱為可以在任何基...

真空鍍膜：反應磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產的要求來看，物理的氣相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優(yōu)勢，因而被普遍應用，這是因為：反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應磁控濺射中調節(jié)沉積工藝參數，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節(jié)薄膜的組成來調控薄膜特性的目的。真空鍍膜是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料。云浮納米涂層真空鍍膜原子層沉積過程由A、B兩個半反應分四個基元步驟進行：1）前驅...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應氣體)離化。這種方法的特點是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結構及形貌差，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤滑機械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，有時需要對基板加熱；可用于鍍精密機械制品、電子器件裝飾品。真空鍍膜是在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。遵義真空鍍膜機...

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發(fā)展，濺射鍍膜技術飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。真空鍍膜機類金剛石薄膜通過蒸餾或濺射等方式在塑件表面沉積各種金...

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學法氣相沉積（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）。真空鍍膜有離子鍍形式。珠海真空鍍膜外協(xié)PECVD（等離子體增強化學氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激發(fā)...

真空鍍膜：可鍍材料普遍：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉換成熱能，從而促進了表層組織的擴散作用和化學反應。然而，整個工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響。因此這種鍍膜工藝的應用范圍較廣，受到的局限性則較小。通常，各種金屬、合金以及某些合成材料、絕緣材料、熱敏材料和高熔點材料等均可鍍復。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬，甚至可鍍塑料、橡膠、石英、陶瓷等。在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。攀枝花真空鍍膜廠家在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應過程...

真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業(yè)應用，工業(yè)化大規(guī)模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料)，屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優(yōu)勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料，大量應用于汽車...

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時還會產生大量的廢液，造成嚴重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。真空鍍膜機電磁閥是由電磁線圈和磁芯組成，是包含一個或幾個孔的閥...

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學氣相沉積，等離子體是物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導致氣體分子產生電離，物質就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被廣泛應用于半導體器件工藝當中。在LED工藝當中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結構致密，介電強度高、硬度大等優(yōu)點，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。真空鍍膜技術有真空蒸發(fā)鍍膜。汕頭PVD真空...

真空鍍膜的方法：離子鍍：離子鍍Z早是由D。M。Mattox在1963年提出的。在真空條件下,利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質離化,在氣體離子或蒸發(fā)物質離子轟擊作用的同時,把蒸發(fā)物質或其反應物蒸鍍在基片上。離子鍍是將輝光放電、等離子技術與真空蒸發(fā)鍍膜技術相結合的一門新型鍍膜技術。它兼具真空蒸鍍和濺射鍍膜的優(yōu)點,由于荷能粒子對基體表面的轟擊,可以使膜層附著力強,繞射性好,沉積速率高,對環(huán)境無污染等好處。離子鍍的種類多種多樣,根據鍍料的氣化方式(電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、多弧加熱、高頻感應加熱等)、氣化分子或原子的離化和激發(fā)方式(輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型等),以及不同...

真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較，具有下列優(yōu)點：薄膜和基體選材普遍，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。干式鍍膜既不產生廢液，也無環(huán)境污染。真空鍍膜技術主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：各種鍍膜技術都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質的不良影響...

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術。這種方法是把含有構成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學反應(熱分解或化學合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態(tài)薄膜。分子束外延是一種很特殊的真空鍍膜...

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時還會產生大量的廢液，造成嚴重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術和化...

真空鍍膜：技術原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積，分為：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍；通常說的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發(fā)鍍膜。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下，使金屬、金屬合金等蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料，使蒸發(fā)成氣相，然后沉積在基體表面，歷史上，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術。真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件。鄭州真空鍍膜真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能...

蒸發(fā)法鍍膜是將固體材料置于真空室內，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發(fā)，蒸發(fā)出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當把一些加工好的基板材料放在其中時，蒸發(fā)出來的原子或分子就會吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據蒸發(fā)源不同，真空蒸發(fā)鍍膜法又可 以分為四種：電阻蒸發(fā)源蒸鍍法；電子束蒸發(fā)源蒸鍍法；高頻感應蒸發(fā)源蒸鍍法；激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。本實驗采用電阻蒸發(fā)源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發(fā)鍍膜，要求從蒸發(fā)源出來的蒸汽分子或原子，到達被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內殘余氣體分子的平均自由程，這樣才能保證蒸發(fā)物的蒸汽分子能無碰撞地到達基片表面。保證薄膜純凈和牢固，蒸發(fā)物也不至于氧化。真空鍍膜機類金剛石薄膜通...

真空鍍膜：隨著沉積方法和技術的提升，物理的氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。物理的氣相沉積技術早在20世紀初已有些應用，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應用前景的新技術，并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展。在鐘表行業(yè)，尤其是較好手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應用。物理的氣相沉積技術基本原理可分三個工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，升華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后，產生多種反應。鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術的結合。三明真空鍍膜工藝...

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術。這種方法是把含有構成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學反應(熱分解或化學合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態(tài)薄膜。真空鍍膜中離子鍍的鍍層厚度均勻。...

PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進入在反應腔體，在射頻源的左右下，氣體被電離成活性基團?；钚曰鶊F進行化學反應，在低溫（300攝氏度左右）生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導體器件的絕緣層，可有效的進行絕緣。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程，薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內，提高硅烷與笑氣的比例，可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候，提升RF功率可提升薄膜的沉積速率，當RF增加到一定值后，沉積速率隨RF增大而減少，然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下，沉積速率隨腔體壓力增大而增大...