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  • 平頂山真空鍍膜技術(shù),真空鍍膜
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真空鍍膜基本參數(shù)
  • 產(chǎn)地
  • 廣東
  • 品牌
  • 科學(xué)院
  • 型號(hào)
  • 齊全
  • 是否定制
真空鍍膜企業(yè)商機(jī)

PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣,這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中,通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時(shí),反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及其均勻性等,因此需要嚴(yán)格控制氣體流量,通常采用質(zhì)量流量計(jì)來實(shí)現(xiàn)精確控制。PECVD反應(yīng)過程中,反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔,逐漸擴(kuò)散至襯底表面,在射頻源激發(fā)的電場作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長成島狀物,島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出。真空鍍膜:一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。平頂山真空鍍膜技術(shù)

平頂山真空鍍膜技術(shù),真空鍍膜

在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場,借助于靶表面上形成的正交電磁場,把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來增強(qiáng)電離效率,增加離子密度和能量,從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過程。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,和靶原子碰撞,把部分動(dòng)量傳給靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成級(jí)聯(lián)過程。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,離開靶被濺射出來。浙江小家電真空鍍膜真空鍍膜的操作規(guī)程:鍍制多層介質(zhì)膜的鍍膜間,應(yīng)安裝通風(fēng)吸塵裝置,及時(shí)排除有害粉塵。

平頂山真空鍍膜技術(shù),真空鍍膜

電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā)。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區(qū)域外以避免污染)并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點(diǎn)。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導(dǎo)向蒸發(fā)材料(放置在坩堝中)。在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過程中,其動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數(shù)百萬瓦以上)。因此,容納蒸發(fā)材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發(fā)設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,而且可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,在蒸鍍合金時(shí)可以實(shí)現(xiàn)快速蒸發(fā),避免合金的分餾,其鍍膜質(zhì)量也可以達(dá)到較高水平,可以廣泛應(yīng)用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學(xué)材料表面鍍膜,是一種可易于實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)的成熟鍍膜技術(shù)。

真空鍍膜:離子鍍膜法:目前比較常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;被鍍基體作為陰極,利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升大、繞射性好、附著性好,膜結(jié)構(gòu)及形貌差,若用電子束加熱必須用差壓板;可用于鍍耐腐蝕潤滑機(jī)械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,有時(shí)需要對(duì)基板加熱;可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。

平頂山真空鍍膜技術(shù),真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代,四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀(jì)80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),屬于物理的氣相沉積工藝。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧ぃ室卜Q真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中,以塑料較為常見,其次,為紙張鍍膜。相對(duì)于金屬、陶瓷、木材等材料,塑料具有來源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢,因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料,大量應(yīng)用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷,如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜,即可賦予塑料程亮的金屬外觀,合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能,拓寬了塑料的裝飾性和應(yīng)用范圍。真空鍍膜的操作規(guī)程:酸洗夾具應(yīng)在通風(fēng)裝置內(nèi)進(jìn)行,并要戴橡皮手套。平頂山真空鍍膜技術(shù)

真空鍍膜技術(shù)首先用于生產(chǎn)光學(xué)鏡片。平頂山真空鍍膜技術(shù)

蒸發(fā)法鍍膜是將固體材料置于真空室內(nèi),在真空條件下,將固體材料加熱蒸發(fā),蒸發(fā)出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當(dāng)把一些加工好的基板材料放在其中時(shí),蒸發(fā)出來的原子或分子就會(huì)吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據(jù)蒸發(fā)源不同,真空蒸發(fā)鍍膜法又可 以分為四種:電阻蒸發(fā)源蒸鍍法;電子束蒸發(fā)源蒸鍍法;高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法;激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。本實(shí)驗(yàn)采用電阻蒸發(fā)源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發(fā)鍍膜,要求從蒸發(fā)源出來的蒸汽分子或原子,到達(dá)被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內(nèi)殘余氣體分子的平均自由程,這樣才能保證蒸發(fā)物的蒸汽分子能無碰撞地到達(dá)基片表面。保證薄膜純凈和牢固,蒸發(fā)物也不至于氧化。平頂山真空鍍膜技術(shù)

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