真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無(wú)論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發(fā)或?yàn)R射出來(lái)的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過(guò)程中，對(duì)其膜厚可進(jìn)行比較精確的測(cè)量和控制，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過(guò)微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù)，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到較小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對(duì)于濕式鍍膜而言是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化，從而地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量，而且在生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)環(huán)境無(wú)污染。由于在真空條件下制膜，所以薄膜的純度高、密實(shí)性好、表面光亮不需要再加工，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好。真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果。廈門真空鍍膜廠

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過(guò)程稱為濺射。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進(jìn)行輝光放電，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)。氬離子在電場(chǎng)力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會(huì)被濺射出來(lái)而沉積到工件表面。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍。惠州光學(xué)真空鍍膜真空鍍膜機(jī)、真空鍍膜設(shè)備爐門采用懸垂吊掛式平移結(jié)構(gòu)，便于爐外料車與爐內(nèi)輥軸的對(duì)接傳遞，減少占地空間。

真空鍍膜：真空涂層技術(shù)的發(fā)展：真空涂層技術(shù)起步時(shí)間不長(zhǎng)，國(guó)際上在上世紀(jì)六十年代才出現(xiàn)將CVD（化學(xué)氣相沉積）技術(shù)應(yīng)用于硬質(zhì)合金刀具上。由于該技術(shù)需在高溫下進(jìn)行（工藝溫度高于1000oC），涂層種類單一，局限性很大，起初并未得到推廣。到了上世紀(jì)七十年代末，開(kāi)始出現(xiàn)PVD（物理的氣相沉積）技術(shù)，之后在短短的二、三十年間PVD涂層技術(shù)得到迅猛發(fā)展，究其原因：其在真空密封的腔體內(nèi)成膜，幾乎無(wú)任何環(huán)境污染問(wèn)題，有利于環(huán)保；其能得到光亮、華貴的表面，在顏色上，成熟的有七彩色、銀色、透明色、金黃色、黑色、以及由金黃色到黑色之間的任何一種顏色，能夠滿足裝飾性的各種需要；可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復(fù)合涂層，應(yīng)用在工裝、模具上面，可以使壽命成倍提高，較好地實(shí)現(xiàn)了低成本、收益的效果；此外，PVD涂層技術(shù)具有低溫、高能兩個(gè)特點(diǎn)，幾乎可以在任何基材上成膜，因此，應(yīng)用范圍十分廣闊，其發(fā)展神速也就不足為奇。

ALD允許在原子層水平上精確控制膜厚度。而且，可以相對(duì)容易地形成不同材料的多層結(jié)構(gòu)。由于其高反應(yīng)活性和精度，它在精細(xì)和高效的半導(dǎo)體領(lǐng)域（如微電子和納米技術(shù)）中非常有用。由于ALD通常在相對(duì)較低的溫度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物樣品時(shí)是有用的，并且在使用易于熱解的前體時(shí)也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以輕松地應(yīng)用于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的粉末和形狀。 眾所周知，ALD工藝非常耗時(shí)。例如，氧化鋁的膜形成為每個(gè)循環(huán)0.11nm，并且每小時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)膜形成量為100至300nm。由于ALD通常用于制造微電子和納米技術(shù)的基材，因此不需要厚膜形成。通常，當(dāng)需要大約μm的膜厚度時(shí)，就膜形成時(shí)間而言，ALD工藝是困難的。作為物質(zhì)限制，前體必須是揮發(fā)性的。另外，成膜靶必須能夠承受前體分子的化學(xué)吸附所必需的熱應(yīng)力。真空濺射是徹底的環(huán)保制程，一定環(huán)保無(wú)污染。

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。真空鍍膜中真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀?；葜莨鈱W(xué)真空鍍膜

真空鍍膜的操作規(guī)程：易燃有毒物品要妥善保管，以防失火中毒。廈門真空鍍膜廠

真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代，四五十年代開(kāi)始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開(kāi)始于20世紀(jì)80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料)，屬于物理的氣相沉積工藝。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧?，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見(jiàn)，其次，為紙張鍍膜。相對(duì)于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來(lái)源充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢(shì)，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料，大量應(yīng)用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應(yīng)用范圍。廈門真空鍍膜廠