真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。浙江小家電真空鍍膜

等離子體化學(xué)氣相沉積法，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行。優(yōu)點(diǎn)是：反應(yīng)溫度降低，沉積速率較快，成膜質(zhì)量好，不容易破裂。缺點(diǎn)是：設(shè)備投資大、對(duì)氣管有特殊要求。PECVD，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng)，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因此，這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。平頂山真空鍍膜技術(shù)真空鍍膜中離子鍍簡(jiǎn)化可以大量的鍍前清洗工作。

真空鍍膜：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積：在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是：在化學(xué)氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性，從而進(jìn)行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化，同時(shí)基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng)，還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的共同作用下形成的。激發(fā)輝光放電的方法主要有：射頻激發(fā)，直流高壓激發(fā)，脈沖激發(fā)和微波激發(fā)。

真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴(yán)格的監(jiān)控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優(yōu)點(diǎn)在于能生長(zhǎng)極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結(jié)構(gòu)器件,從而為制作集成光學(xué)和超大規(guī)模集成電路提供了有力手段。利用反應(yīng)分子束外延法制備TiO2薄膜時(shí),不需要考慮中間的化學(xué)反應(yīng),又不受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊?并且利用開閉擋板(快門)來實(shí)現(xiàn)對(duì)生長(zhǎng)和中斷的瞬時(shí)控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調(diào)整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優(yōu)點(diǎn)。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)。利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮?dú)?、乙炔等反?yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機(jī)械制品、電子器件、裝飾品?？招年帢O離子鍍(HCD)。利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機(jī)械制品。真空鍍膜是一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。揭陽(yáng)真空鍍膜設(shè)備

真空鍍膜機(jī)爐體與爐門為了充分利用爐體的內(nèi)部空間，減輕真空系統(tǒng)的負(fù)載。浙江小家電真空鍍膜

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電子和離子運(yùn)動(dòng)特征的不同,在靶表面感應(yīng)出負(fù)的直流脈沖,從而產(chǎn)生濺射的射頻濺射。這種技術(shù)Z早由1965年IBM公司研制,對(duì)絕緣體也可以濺射鍍膜。為了在更高的真空范圍內(nèi)提高濺射沉積速率,不是利用導(dǎo)入是氬氣,而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子,對(duì)靶產(chǎn)生濺射實(shí)現(xiàn)鍍膜的自濺射鍍膜技術(shù)。在高真空下,利用離子源發(fā)出的離子束對(duì)靶濺射,實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的離子束濺射。其中由二極濺射發(fā)展而來的磁控濺射技術(shù),解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多、等離子體的離化率低和基片的熱效應(yīng)等明顯問題。磁控濺射是現(xiàn)在用于鈦膜材料的制備Z為普遍的一種真空等離子體技術(shù),實(shí)現(xiàn)了在低溫、低損傷的條件下高速沉積。自2001年以來,廣大的科技研究者致力于這方面的研究,成果顯著。浙江小家電真空鍍膜