可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對(duì)準(zhǔn)，良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性，開(kāi)發(fā)出可實(shí)時(shí)切換流路的生化分析芯片，通過(guò)軟件輸入不同圖案，10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測(cè)的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備，使現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測(cè)時(shí)間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級(jí)重復(fù)精度0.1 μm。廣東PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

在微流控芯片集成領(lǐng)域，某微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%，響應(yīng)時(shí)間小于 50ms。通過(guò)軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析，實(shí)現(xiàn)了單個(gè)tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，檢測(cè)靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗(yàn)證階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。黑龍江德國(guó)BEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模材料科學(xué)：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強(qiáng) 10 倍。

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴(lài)高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車(chē)道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

細(xì)胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細(xì)胞類(lèi)型設(shè)計(jì)表面微結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻依賴(lài)掩模庫(kù)，難以滿(mǎn)足個(gè)性化需求。Polos 光刻機(jī)支持 STL 模型直接導(dǎo)入，某干細(xì)胞研究所在 24 小時(shí)內(nèi)完成了神經(jīng)干細(xì)胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細(xì)胞黏附需求。實(shí)驗(yàn)顯示，使用該支架的神經(jīng)細(xì)胞軸突生長(zhǎng)速度提升 30%，為神經(jīng)再生機(jī)制研究提供了高效工具，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿(mǎn)足中尺寸器件一次性成型需求。

在構(gòu)建肝臟芯片的血管化網(wǎng)絡(luò)時(shí)，某生物工程團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了跨尺度結(jié)構(gòu)制備。其無(wú)掩模技術(shù)在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內(nèi)皮細(xì)胞貼壁率達(dá) 95%，較傳統(tǒng)光刻提升 30%。通過(guò)輸入 CT 掃描的真實(shí)肝臟血管數(shù)據(jù)，芯片成功模擬門(mén)靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細(xì)胞功能維持時(shí)間從 7 天延長(zhǎng)至 21 天。該技術(shù)為藥物肝毒性測(cè)試提供了接近體內(nèi)環(huán)境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關(guān)成果登上《Lab on a Chip》封面。實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)系統(tǒng)：120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡，實(shí)現(xiàn)加工過(guò)程動(dòng)態(tài)監(jiān)控。北京德國(guó)POLOS光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。廣東PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本，無(wú)需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描，單次寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。廣東PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米