Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺(tái)雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級(jí)需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級(jí)重復(fù)精度0.1 μm。陜西光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)?；谠摷夹g(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機(jī)避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。BEAM-XL光刻機(jī)分辨率1.5微米POLOS μ：超緊湊設(shè)計(jì)，納米級(jí)精度專攻微流控與細(xì)胞芯片。

單細(xì)胞分選需要復(fù)雜的流體動(dòng)力學(xué)控制結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻難以實(shí)現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機(jī)的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細(xì)胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細(xì)胞生物學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該芯片，將單細(xì)胞分選通量提升至 1000 個(gè) / 秒，分選純度達(dá) 98%，較傳統(tǒng)流式細(xì)胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細(xì)胞檢測(cè)，使稀有細(xì)胞捕獲效率提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備進(jìn)入臨床驗(yàn)證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度，幫助科研團(tuán)隊(duì)在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場(chǎng)中可實(shí)現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達(dá) 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人，在單細(xì)胞膜片鉗實(shí)驗(yàn)中成功率從 40% 提升至 75%，為細(xì)胞級(jí)precise操作提供了關(guān)鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開環(huán)諧振器加工能力，推動(dòng)工業(yè)級(jí)MEMS傳感器升級(jí)。

Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生，同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)（如固態(tài)激光光源）符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%，助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域，壓電驅(qū)動(dòng)提升掃描速度。浙江PSP光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

POLOS μ 光刻機(jī)：桌面級(jí)設(shè)計(jì)，2-23μm 可調(diào)分辨率，兼容 4 英寸晶圓，微機(jī)電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。陜西光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

無掩模激光光刻技術(shù)為研究實(shí)驗(yàn)室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級(jí)特征，并促進(jìn)電路和器件的快速原型設(shè)計(jì)。經(jīng)濟(jì)高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴(kuò)展至微機(jī)電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計(jì)和制造，例如以下領(lǐng)域：醫(yī)療（包括微流體）、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進(jìn)材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元，預(yù)計(jì)到 2028 年將增長(zhǎng)至 5.0143 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為 6.90%。由于對(duì) 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來幾十年光刻市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)。陜西光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模