某半導(dǎo)體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光,較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案,器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s),擊穿電壓提升至 1200V,遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕,刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國技術(shù)基因:融合精密光學與自動化控制,確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長壽命。廣東POLOSBEAM光刻機
SPS POLOS μ以緊湊的桌面設(shè)計降低實驗室設(shè)備投入,光束引擎通過壓電驅(qū)動實現(xiàn)高速掃描(單次寫入400 μm區(qū)域)。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光,成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費,為中小型實驗室提供經(jīng)濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。江蘇POLOSBEAM光刻機讓你隨意進行納米圖案化生物界面創(chuàng)新:微納結(jié)構(gòu)可控加工,為組織工程提供新型仿生材料解決方案。
某基因treatment團隊采用 Polos 光刻機開發(fā)了微米級 DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導(dǎo)入,在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu),載體的 DNA 負載量達 200μg/mg,較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動物實驗顯示,該載體在肝臟靶向遞送中,基因轉(zhuǎn)染效率達 65%,且免疫原性降低 70%。其無掩模特性支持根據(jù)不同細胞表面受體定制載體形貌,在 CAR-T 細胞treatment中,CAR 基因?qū)胄蕪?30% 提升至 75%,相關(guān)技術(shù)已申請國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。
在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時,Polos 光刻機的亞微米級定位精度(±50nm)確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備,在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列,模板的圖案保真度達 99.8%,邊緣缺陷率低于 0.1%?;诖四0迳a(chǎn)的柔性 OLED 背光模組,亮度均勻性提升至 98%,厚度減至 50μm,成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。高頻元件驗證:成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器,加速國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。
無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。雙光子聚合擴展:結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實現(xiàn)3D微納打印,拓展微型機器人制造。北京桌面無掩模光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
多材料兼容:金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工,微流控芯片集成傳感器一步成型。廣東POLOSBEAM光刻機
細胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細胞類型設(shè)計表面微結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫,難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導(dǎo)入,某干細胞研究所在 24 小時內(nèi)完成了神經(jīng)干細胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm,適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示,使用該支架的神經(jīng)細胞軸突生長速度提升 30%,為神經(jīng)再生機制研究提供了高效工具,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實現(xiàn)量產(chǎn)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。廣東POLOSBEAM光刻機
柔性電子是未來可穿戴設(shè)備的core方向,其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機的無掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光,解決了傳統(tǒng)掩模對準偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備,開發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測貼片,其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝,Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時,加速了柔性電路的迭代優(yōu)化,推動柔性電子從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL ...