柔性電子是未來(lái)可穿戴設(shè)備的core方向，其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機(jī)的無(wú)掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實(shí)現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統(tǒng)掩模對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備，開(kāi)發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測(cè)貼片，其傳感器陣列的信號(hào)噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝，Polos 光刻機(jī)將打樣時(shí)間從 72 小時(shí)壓縮至 8 小時(shí)，加速了柔性電路的迭代優(yōu)化，推動(dòng)柔性電子從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù)：無(wú)需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時(shí)間。重慶德國(guó)POLOS光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時(shí)，Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實(shí)驗(yàn)室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達(dá) 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%?；诖四０迳a(chǎn)的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī)，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。重慶德國(guó)POLOS光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米德國(guó) SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專(zhuān)注半導(dǎo)體與生命科學(xué)領(lǐng)域，全球布局 6 大技術(shù)中心，服務(wù) 500 + 科研機(jī)構(gòu)。

無(wú)掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù)，用戶可通過(guò)軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時(shí)間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實(shí)驗(yàn)室快速原型開(kāi)發(fā)。閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過(guò)光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類(lèi)似地，Polos系列設(shè)備可支持此類(lèi)結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。

單細(xì)胞分選需要復(fù)雜的流體動(dòng)力學(xué)控制結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻難以實(shí)現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機(jī)的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細(xì)胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細(xì)胞生物學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該芯片，將單細(xì)胞分選通量提升至 1000 個(gè) / 秒，分選純度達(dá) 98%，較傳統(tǒng)流式細(xì)胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細(xì)胞檢測(cè)，使稀有細(xì)胞捕獲效率提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備進(jìn)入臨床驗(yàn)證階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。生物界面創(chuàng)新：微納結(jié)構(gòu)可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。重慶德國(guó)POLOS光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米

緊湊桌面設(shè)計(jì)：Polos-BESM系統(tǒng)only占桌面空間，適合實(shí)驗(yàn)室高效原型開(kāi)發(fā)。重慶德國(guó)POLOS光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車(chē)道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。重慶德國(guó)POLOS光刻機(jī)光源波長(zhǎng)405微米