DDR測試信號和協(xié)議測試

DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設計更為復雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應用IBIS模型針對基于DDR5顆?；駾IMM的系統(tǒng)進行仿真驗證，比如仿真驅(qū)動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū) DDR2總線上的信號波形；遼寧DDR測試維保

14.在本發(fā)明的一個實施例中，所述相關信號包括dqs信號、clk信號和dq信號，所述標志信號為dqs信號。15.在本發(fā)明的一個實施例中，所述根據(jù)標志信號對示波器進行相關參數(shù)配置，具體包括：16.利用示波器分別采集標志信號在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值；17.對標志信號在數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的電平幅值進行比較，確定標志信號的電平閾值；18.在示波器中配置標志信號的電平閾值。19.在本發(fā)明的一個實施例中，所述利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的讀寫信號進行信號分離，具體包括：20.將標志信號的實時電平幅值與標志信號的電平閾值進行比較；21.將大于電平閾值的標志信號和小于電平閾值的標志信號分別進行信號的分離，得到數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)寫入過程中的標志信號。福建DDR測試推薦貨源DDR信號的眼圖模板要求那些定義；

4.時延匹配在做到時延的匹配時，往往會在布線時采用trombone方式走線，另外，在布線時難免會有切換板層的時候，此時就會添加一些過孔。不幸的是，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變?yōu)榈乳L度理想走線時，此時它們的時延是不等的，

顯然，上面講到的trombone方式在時延方面同直走線的不對等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下，trombone走線的時延比直走線的實際延時是要來的小的，而對于帶有過孔的走線，時延是要來的大的。這種時延的產(chǎn)生，這里有兩種方法去解決它。一種方法是，只需要在EDA工具里進行精確的時延匹配計算，然后控制走線的長度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi)，減少不匹配度。對于trombone線，時延的不對等可以通過增大L3的長度而降低，因為并行線間會存在耦合，其詳細的結果，可以通過SigXP仿真清楚的看出，L3長度的不同，其結果會有不同的時延，盡可能的加長S的長度，則可以更好的降低時延的不對等。對于微帶線來說，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。

    對于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號與DQ數(shù)據(jù)信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求，否則會導致接收鎖存信號錯誤，DDR4信號速率達到了，單一比特位寬為，時序裕度也變得越來越小，傳統(tǒng)的測量時序的方式在短時間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻，也很難準確反映隨機抖動Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素，基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會在規(guī)范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求。 協(xié)助DDR有那些工具測試；

現(xiàn)做一個測試電路，類似于圖5，驅(qū)動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電源平面的，這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設計時，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當重要的。DDR4信號完整性測試案例；福建DDR測試推薦貨源

一種DDR4內(nèi)存信號測試方法；遼寧DDR測試維保

DDR測試

主要的DDR相關規(guī)范，對發(fā)布時間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預取長度、端接、接收機均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細對比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進，同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復雜的技術來實現(xiàn)這些目標。以DDR5為例，相 對于之前的技術做了一系列的技術改進，比如在接收機內(nèi)部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。 遼寧DDR測試維保

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