如何測(cè)試DDR?
DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面:芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,其價(jià)值一般在數(shù)百萬(wàn)美元以上。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器。測(cè)試工程師通過(guò)編程來(lái)模擬實(shí)際工作環(huán)境;另外,他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來(lái)尋找平衡點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)試儀(ATE)系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性,使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍,所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此,測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡。為此,要保證一定的測(cè)試分辨率,就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問(wèn)題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換,需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí),開(kāi)始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線律。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性,必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。 協(xié)助DDR有那些工具測(cè)試;廣西DDR測(cè)試保養(yǎng)
trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,一種在不需要提高其間距的情況下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然,sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,依來(lái)看它需要更多的空間。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因,所以,在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,從而控制走線的時(shí)延匹配。考慮到在圖2中6層板上的過(guò)孔的因素,當(dāng)一個(gè)地過(guò)孔靠近信號(hào)過(guò)孔放置時(shí),則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子,在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils,BOTTOM層的微帶線也是150mils,線寬都為4mils,且過(guò)孔的參數(shù)為:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。設(shè)備DDR測(cè)試修理DDR規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義;
DDR5發(fā)送端測(cè)試隨著信號(hào)速率的提升,SerDes技術(shù)開(kāi)始在DDR5中采用,如會(huì)采用DFE均衡器改善接收誤碼率,另外DDR總線在發(fā)展過(guò)程中引入訓(xùn)練機(jī)制,不再是簡(jiǎn)單的要求信號(hào)間的建立保持時(shí)間,在DDR4的時(shí)始使用眼圖的概念,在DDR5時(shí)代,引入抖動(dòng)成分概念,從成因上區(qū)分解Rj,Dj等,對(duì)芯片或系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更具體的依據(jù);在抖動(dòng)的參數(shù)分析上,也增加了一些新的抖動(dòng)定義參數(shù),并有嚴(yán)苛的測(cè)量指標(biāo)。針對(duì)這些要求,提供了完整的解決方案。UXR示波器,配合D9050DDRC發(fā)射機(jī)一致性軟件,及高阻RC探頭MX0023A,及Interposer,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR信號(hào)的精確表征。
DDR測(cè)試
主要的DDR相關(guān)規(guī)范,對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比??梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn),同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例,相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn),比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。 DDR規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立;
DDR測(cè)試
大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě),即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同,又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣,而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的,因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。 DDR在信號(hào)測(cè)試中解決的問(wèn)題有那些;智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試保養(yǎng)
DDR平均速率以及變化情況;廣西DDR測(cè)試保養(yǎng)
DDR測(cè)試
測(cè)試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告,測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過(guò)、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開(kāi)度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶(hù)進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用戶(hù)可以通過(guò)軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外,DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì),根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置, 廣西DDR測(cè)試保養(yǎng)
深圳市力恩科技有限公司正式組建于2014-04-03,將通過(guò)提供以實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等服務(wù)于于一體的組合服務(wù)。力恩科技經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)遍布國(guó)內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū),業(yè)務(wù)布局涵蓋實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等板塊。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同,致力于實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀等實(shí)現(xiàn)一體化,建立了成熟的實(shí)驗(yàn)室配套,誤碼儀/示波器,矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,協(xié)議分析儀運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系,累積了豐富的儀器儀表行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn),擁有一大批專(zhuān)業(yè)人才。值得一提的是,力恩科技致力于為用戶(hù)帶去更為定向、專(zhuān)業(yè)的儀器儀表一體化解決方案,在有效降低用戶(hù)成本的同時(shí),更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶(hù)極大限度地挖掘克勞德的應(yīng)用潛能。
DDR測(cè)試 測(cè)試軟件運(yùn)行后,示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告,測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過(guò)、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開(kāi)度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶(hù)進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,用戶(hù)可以通過(guò)軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外,DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波...