膜片鉗記錄的幾種形式：細胞吸附膜片(cell-attached patch)　將兩次拉制后經(jīng)加熱拋光的微管電極置于清潔的細胞膜表面上，形成高阻封接，在細胞膜表面隔離出一小片膜，既而通過微管電極對膜片進行電壓鉗制，高分辨測量膜電流，稱為細胞貼附膜片。由于不破壞細胞的完整性，這種方式又稱為細胞膜上的膜片記錄。此時跨膜電位由玻管固定電位和細胞電位決定。因此，為測定膜片兩側(cè)的電位，需測定細胞膜電位并從該電位減去玻管電位。從膜片的通道活動看，這種形式的膜片是極穩(wěn)定的，因細胞骨架及有關(guān)代謝過程是完整的，所受的干擾小。使用膜片鉗全細胞記錄技術(shù)觀察拮抗劑對煙堿受體激動劑量效曲線的影響，來確定其作用的動力學(xué)特征。合肥全自動腦定位膜片鉗原理

全細胞膜片鉗模式下有電壓鉗記錄和電流鉗記錄兩種。電壓鉗記錄的原理與電壓鉗技術(shù)相似，但有所不同：首先，全細胞電壓鉗記錄只使用單根電極，但在電學(xué)效果上同時實現(xiàn)了電壓鉗制和電流記錄。其次，電壓鉗記錄的電極不細胞，對細胞造成的損傷較小，因而能用于小細胞如神經(jīng)元的研究。電流鉗記錄則是通過鉗制電極電流來測量膜電位。電流鉗在本質(zhì)上也是電壓鉗位，它將差分放大器的輸出電流與指令電流相比較，然后將這個差動輸出施加到放大器前級的倒相端，通過高速反饋使得同相端的電壓與其相等，無論電極電流是否為零，都能從輸出電壓得到膜電位的準(zhǔn)確數(shù)值。福州藥理學(xué)膜片鉗電生理技術(shù)膜片鉗使用操作注意：封接范圍內(nèi)細胞膜光有少數(shù)離子通道。

全自動膜片鉗系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：1）操作簡單，全過程可自動化。2）實驗迅速，通量高。一般每天可達到50個實驗數(shù)據(jù)左右。3）藥液交換迅速。細胞內(nèi)、外液的交換是在平面芯片上進行，所以藥液交換非常迅速，作用時間快，外灌流時間常數(shù)：~200ms內(nèi)灌流時間常數(shù)：~2s。4）藥物消耗極低。每次更換的外液只需十幾微升。5）信號準(zhǔn)確，噪聲少。使用了先進的微型“法拉第板”替代傳統(tǒng)的“法拉第籠”，極大的減少了噪聲源，記錄數(shù)據(jù)的電噪音很低(小于300fA/500MΩ)。6）擴展功能多。配套擴展設(shè)備豐富，如內(nèi)灌流系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、脂質(zhì)體制備器等等。7）軟件強大。軟件的功能全部，可按照操作者設(shè)定的參數(shù)方案自動執(zhí)行實驗，進行細胞吸附、封接和維持全細胞記錄模式；并兼容常規(guī)膜片鉗放大。

膜片鉗技術(shù)操作方法：開始封接:調(diào)低微操步進速度，使電極尖銳端慢慢向細胞靠近，如發(fā)現(xiàn)基線方波突然變小，封接電阻上升時，即停止電極下降，通過注射器給電極負壓，封接成功的可見方波很快變小，電阻升至G歐。此時，調(diào)節(jié)快電容補償按鈕，將快電容電流補償?shù)?，如封接穩(wěn)定后，準(zhǔn)備破膜。破膜:在鉗制電位水平-60mV時，漏電流<20pA，給予比較大的負壓(也可根據(jù)情況使用ZAP電破方式破膜)，將要破時可見基線上下浮動，破后，可見基線前后有兩個較大的慢電容電流。全自動膜片鉗系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：信號準(zhǔn)確，噪聲少，使用了先進的微型“法拉第板”替代傳統(tǒng)的“法拉第籠”。

膜片鉗技術(shù)之全細胞記錄的優(yōu)點：與傳統(tǒng)的細胞內(nèi)記錄相比，全細胞記錄也有很多好處，比如電極尖銳端開口較大，電阻只2~20MΩ，易于進行電壓/電流鉗制，噪聲很大程度下降，電極電壓降也變得很小，補償非常容易。與單通道記錄相比，單通道記錄無法獲得整個細胞的功能變化信息，而全細胞記錄（尤其是腦片或在體記錄）所獲信息則能反映細胞功能（甚至細胞之間信息傳遞）的改變，加之易于更換細胞外液，所以，全細胞記錄更適用于對離子通道的藥理學(xué)研究，即加各種通道blocker啦，激動劑啦之類的。全自動膜片鉗系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：操作簡單，全過程可自動化。金華醫(yī)學(xué)膜片鉗電生理技術(shù)原理

膜片鉗使用的注意事項：打雷天氣必須禁止膜片鉗實驗。合肥全自動腦定位膜片鉗原理

腦片膜片鉗實驗全細胞記錄：用可視化膜片鉗尋找清楚、且表面光滑、折光性較好的突觸后神經(jīng)元。在加了正壓后，將記錄電極移入腦片視野中，并接近事先選好的神經(jīng)元，然后，調(diào)整電極與神經(jīng)元的相對位置，利用負壓形成穩(wěn)定的高阻封接。用短簇的脈沖負壓使細胞破膜，穩(wěn)定2~3分鐘，觀察封接測試波形起始段與基線間的差值是否在100pA以內(nèi)，封接電阻是否大于200M，如果是，且較穩(wěn)定，再迅速補償串聯(lián)電阻和慢電容，舍棄串聯(lián)電阻大于30M的細胞，且在記錄過程中監(jiān)測串聯(lián)電阻的變化，當(dāng)變化大于20%時，中止記錄。如果細胞狀態(tài)不好，就馬上重新制備腦片，以提高實驗效率。合肥全自動腦定位膜片鉗原理

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