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    圖1為本發(fā)明實施例提供的一種拋光減薄裝置的結構示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種托盤和待加工部件的鍵合固定方式示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種磁轉子的結構示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供一種磁轉子的旋轉方式的示意圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種拋光減薄方法的流程示意圖。具體實施方式以上是本發(fā)明的思想，為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供了一種拋光減薄裝置，用于對inp基晶圓等部件進行拋光減薄，如圖1所示，包括托盤10、噴頭11和磁轉子12，當然，本發(fā)明實施例中的拋光減薄裝置還包括反應室13等，托盤10、噴頭11和磁轉子12等在反應室13內(nèi)進行拋光和減薄反應。其中，托盤10，可選為石英托盤，用于固定待加工部件20，待加工部件20包括inp基晶圓。噴頭11用于向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110，以對待加工表面進行拋光。合肥半導體減薄用清洗劑推薦貨源清洗劑的分類有哪些；

    在本發(fā)明的一個實施例中，拋光液110的主要成分包括：碳化硅顆粒，顆粒直徑為50nm～200nm，體積比為3％～5％；次氯酸鹽，體積比為30％～40％；氫溴酸，體積比為5％～7％，di水，體積比50～60％。本發(fā)明的一個實施例中，如圖3所示，磁轉子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結構120和位于柱狀磁性結構120的底部平面的研磨層121，以通過研磨層121對待加工部件20的待加工表面進行機械研磨。當然，本發(fā)明并不僅限于此，在其他實施例中，可以根據(jù)實際需求選擇合適的磁轉子形狀?？蛇x地，研磨層121為金屬氧化物層，進一步可選地，金屬氧化物層包括三氧化二鋁層?？蛇x地，研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實施例中，如圖4所示，磁轉子12沿箭頭所示方向旋轉，如沿逆時針或順時針方向旋轉，并且，磁轉子12的長度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑，以對整個待加工表面進行研磨。本發(fā)明實施例中，拋光減薄裝置還包括控制部件?？刂撇考c磁轉子12和噴頭11相連，用于控制噴頭11和磁轉子12交替工作，以對待加工表面交替進行拋光和減薄。其中，控制部件通過脈沖方式控制噴頭11和磁轉子12交替工作。可選地，控制部件控制磁轉子12的轉速為80rpm～200rpm。

    本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，更具體地說，涉及一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法。背景技術：采用iii-v族化合物制作的半導體器件和超高速數(shù)字/數(shù)模混合電路等憑借其優(yōu)良的頻率特性，已經(jīng)成為通訊、雷達、制導、空間防御、高速智能化武器及電子對抗等現(xiàn)代化裝備的部件之一。在眾多的iii-v族化合物中，inp(磷化銦)化合物具有獨特的優(yōu)勢，這主要得益于其優(yōu)良的材料特性，例如，inp和ingaas(銦鎵砷)之間的晶格失配很小，以及電子飽和速率很高等，所以不論是hemt(highelectronmobilitytransistor，高電子遷移率晶體管)結構還是hbt(heterojunctionbipolartransistor，異質結雙極晶體管)結構，都具有非常優(yōu)異的高頻、大功率性能。但是，inp材料的物理性能卻很差，非常易碎，很小的碰撞或振動都會導致晶圓碎裂而前功盡棄，因此，inp材料的制造加工面臨著很多工藝上的難題。尤其是在超高頻率、大功率的inp基rfic(射頻集成電路)的制造工藝中，如何在對inp基晶圓進行減薄拋光時，減小或避免inp基晶圓的損傷是本領域技術人員亟待解決的問題之一。技術實現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明提供了一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法，以減小或避免inp基晶圓的減薄拋光損傷。為實現(xiàn)上述目的。蘇州高質量的減薄用清洗劑的公司。

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