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  圖1（a）所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注...

  線路復(fù)測(cè)宜朝一個(gè)方向進(jìn)行，如從兩頭往中間進(jìn)行，則交接處至少應(yīng)超過(guò)（一基桿塔）兩個(gè)C樁。要檢查塔位中心樁是否穩(wěn)固，有無(wú)松動(dòng)現(xiàn)象。如有松動(dòng)現(xiàn)象，應(yīng)先釘穩(wěn)固，而后再測(cè)量。對(duì)復(fù)測(cè)校準(zhǔn)的塔位樁，必須設(shè)置明顯穩(wěn)固的標(biāo)識(shí)，對(duì)兩施工單位施工分界處，一定要復(fù)測(cè)到轉(zhuǎn)角處并超過(guò)兩基以上，與對(duì)方取得聯(lián)系確認(rèn)無(wú)誤后，方可分坑開挖。復(fù)測(cè)施工時(shí)及時(shí)填寫記錄，記錄要真實(shí)...

  二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。單、雙向可控硅的判別先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）...

  “晶閘管調(diào)功器”廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：A 電爐工業(yè)：退火爐，烘干爐，淬火爐，燒結(jié)爐，坩堝爐，隧道爐，熔爐，箱式電爐，井式電爐，熔化電爐，滾動(dòng)電爐，真空電爐，臺(tái)車電爐，淬火電爐，時(shí)效電爐，罩式電爐，氣氛電爐，烘箱實(shí)驗(yàn)電爐，熱處理，電阻爐，真空爐，網(wǎng)帶爐，高溫爐，窯爐B 機(jī)械設(shè)備：包裝機(jī)械，注塑機(jī)械，熱縮機(jī)械，擠壓機(jī)械，食品機(jī)械，回火設(shè)備，塑料...

  fsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過(guò)程中的充電過(guò)程也沒有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC ...

  整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應(yīng)用時(shí), 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)輸入電壓和輸出電...

  IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)...

  普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陽(yáng)極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極a和陰極k與電源和負(fù)載連接，組成普通晶閘管的主電路，普通晶閘管的門極g和陰極k與控制普通晶閘...

  晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件，保證觸發(fā)控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導(dǎo)熱性能好，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)...

  （2）小規(guī)格模塊主電極無(wú)螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。（4）模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。（5）測(cè)量模塊工作殼溫時(shí)，測(cè)試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面?？蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器...

  可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好；第二是當(dāng)陰極和陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷，不導(dǎo)通；第三是當(dāng)控制極開路時(shí)，陽(yáng)極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通；第四是給控制極加上正向電流，給陰極和陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉，仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好...

  晶閘管模塊（ThyristorModule）是一種用于控制電力的電子器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、變頻器、電機(jī)控制、加熱設(shè)備等領(lǐng)域。晶閘管是一種半導(dǎo)體器件，能夠在特定條件下導(dǎo)通和關(guān)斷電流，具有高效、可靠的特點(diǎn)。晶閘管模塊通常由多個(gè)晶閘管組成，能夠承受較高的電壓和電流，適合用于大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。其主要優(yōu)點(diǎn)包括：高效率：晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下的壓降...