IGBT是Insulated Gate ...
確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)...
表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)...
一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu):晶閘管是由四層半...
晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器(T...
TCR的響應(yīng)迅速,典型的響應(yīng)時(shí)間為1.5...
單向可控硅和雙向可控硅,都是三個(gè)電極。單...
用R×1k或R×10k擋測(cè)陽極和控制極之...
(3)器身:器身絕緣墊塊均采用**度的層...
90年代中期,溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概...
門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC...
這時(shí),即使輸入觸發(fā)信號(hào),可控硅也不能工作...