大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準(zhǔn)功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復(fù)雜圖案設(shè)計，內(nèi)置高性能筆記本實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。光學(xué)超材料突破：光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造，賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。北京德國BEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機(jī)的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達(dá) 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%?；诖四０迳a(chǎn)的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī)，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。陜西POLOSBEAM光刻機(jī)可以自動聚焦波長電子學(xué)應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。

低成本桌面化光刻：SPS POLOS μ的科研普惠！Polos系列在微流體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細(xì)胞浸潤行為，為組織工程提供新策略3。Polos的高精度與靈活性支持仿生結(jié)構(gòu)批量生產(chǎn)，推動醫(yī)療診斷芯片研發(fā)，如tumor篩查與藥物遞送系統(tǒng)的微型化64。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團(tuán)隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。

單細(xì)胞分選需要復(fù)雜的流體動力學(xué)控制結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻難以實現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機(jī)的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細(xì)胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細(xì)胞生物學(xué)實驗室利用該芯片，將單細(xì)胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達(dá) 98%，較傳統(tǒng)流式細(xì)胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細(xì)胞檢測，使稀有細(xì)胞捕獲效率提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備進(jìn)入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。陜西POLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護(hù)成本低，設(shè)備殘值率達(dá) 60%。北京德國BEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。北京德國BEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米