深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-19
MOS管基于半導體表面的電場效應工作。以N溝道MOSFET為例,當柵極(G)相對于源極(S)施加正向電壓時,在柵極氧化物下方的半導體表面會感應出負電荷,從而形成反型層(導電溝道),使得源極和漏極(D)之間可以導通電流。如果柵極電壓為零或者反向電壓,就沒有導電溝道,源漏之間截止。P溝道MOSFET原理類似,但載流子是空穴,且柵極電壓極性要求相反。這種通過柵極電壓控制源漏電流的特性使得MOS管在數(shù)字電路(如邏輯門)和模擬電路(如放大器)中有廣泛應用。
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