深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-19

MOS管基于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)工作。以N溝道MOSFET為例，當(dāng)柵極（G）相對(duì)于源極（S）施加正向電壓時(shí)，在柵極氧化物下方的半導(dǎo)體表面會(huì)感應(yīng)出負(fù)電荷，從而形成反型層（導(dǎo)電溝道），使得源極和漏極（D）之間可以導(dǎo)通電流。如果柵極電壓為零或者反向電壓，就沒有導(dǎo)電溝道，源漏之間截止。P溝道MOSFET原理類似，但載流子是空穴，且柵極電壓極性要求相反。這種通過柵極電壓控制源漏電流的特性使得MOS管在數(shù)字電路（如邏輯門）和模擬電路（如放大器）中有廣泛應(yīng)用。

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