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MOS管的漏極 - 源極擊穿電壓是如何產生的?

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深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-19

當漏極 - 源極之間的電壓過高時,會超出MOS管正常工作的范圍,從而導致?lián)舸┈F(xiàn)象。對于N溝道MOSFET,在強電場作用下,電子可能會獲得足夠的能量發(fā)生雪崩效應或者齊納擊穿。雪崩擊穿是由于電子與晶格原子碰撞產生更多電子 - 空穴對,形成雪崩式的導電過程;齊納擊穿則是由于半導體內部強電場下能帶彎曲導致的。一旦發(fā)生擊穿,漏極電流會急劇增大,可能會損壞MOS管。

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簡介:阿賽姆是專注于電子行業(yè)的公司,生產高性價比EMC防護器件。有自己的EMC實驗室,可以協(xié)助測試和整改。
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