閾值電壓和溫度也是影響 MOS 管開關速度的重要因素。閾值電壓越高，柵極電壓需要上升到更高的值才能使 MOS 管導通，導通時間相應變長；在關斷時，柵極電壓需要下降到低于閾值電壓更多才能完全關斷，關斷時間也會增加。溫度對開關速度也有一定影響，溫度升高會使 MOS 管內部的載流子遷移率發(fā)生變化，導致開關速度略有改變。一般來說，溫度升高會使載流子遷移率下降，從而使開關速度變慢。此外，在實際應用中，電路中的布線和布局也會對開關速度產生影響。不合理的布線會增加線路電感和電容，影響信號傳輸速度，進而影響 MOS 管的開關速度。

從應用電路的角度看，負載特性也會影響 MOS 管的開關速度。當負載為感性負載時， 如電機、變壓器等，在 MOS 管開關過程中，感性負載會產生反電動勢，阻礙電流的變化， 導致開關速度變慢。為了減小這種影響，通常需要在感性負載兩端并聯(lián)二極管，為反電動勢 提供釋放通路，加快電流的變化速度，從而提高 MOS 管的開關速度。另外，驅動信號的質量 也不容忽視。驅動信號的上升沿和下降沿陡峭程度直接影響 MOS 管的開關速度，若上升沿和 下降沿過緩，會使 MOS 管在導通和關斷過程中處于中間狀態(tài)的時間過長，增加開關損耗，降低 開關速度。因此，需要優(yōu)化驅動信號，使其具有快速的上升沿和下降沿。