在關(guān)斷階段，寄生電感會(huì)使電流下降緩慢。當(dāng)柵極電壓降低使 MOS 管關(guān)斷時(shí)，寄生電感中的能量需要釋放，會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢，阻礙電流的下降。這會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷時(shí)間延長，同樣增加關(guān)斷損耗。同時(shí)，反向電動(dòng)勢可能會(huì)與電源電壓疊加，使 MOS 管承受過高的電壓應(yīng)力。如果超過 MOS 管的耐壓值，會(huì)導(dǎo)致 MOS 管損壞。例如，在感性負(fù)載的驅(qū)動(dòng)電路中，寄生電感的影響更為明顯，關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的高電壓可能會(huì)擊穿 MOS 管，需要采取相應(yīng)的保護(hù)措施，如添加續(xù)流二極管。

寄生電感還可能與電路中的其他元件形成諧振。在高頻電路中，寄生電感與寄生電容以及 其他電路元件可能會(huì)形成諧振回路。當(dāng)發(fā)生諧振時(shí)，會(huì)產(chǎn)生振蕩電壓和電流，這不僅會(huì)增 加開關(guān)損耗，還可能對(duì)電路中的其他元件造成干擾，影響電路的正常工作。例如，在射頻 電路中，寄生電感引起的諧振可能會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真，降低通信質(zhì)量。為了避免諧振的影響 ，需要在電路設(shè)計(jì)中合理布局和選擇元件，盡量減小寄生電感，并添加適當(dāng)?shù)淖枘嵩?抑制諧振的發(fā)生。