來對(duì)所述待加工表面進(jìn)行減薄?？蛇x地，還包括：在所述磁轉(zhuǎn)子運(yùn)行一段時(shí)間后，更換所述磁轉(zhuǎn)子。可選地，將待加工部件固定在托盤上包括：采用光刻膠將所述待加工部件固定在所述托盤上?？蛇x地，對(duì)所述待加工部件的待加工表面進(jìn)行拋光和減薄之后，還包括：對(duì)所述待加工部件進(jìn)行清洗；采用特定溶液對(duì)所述光刻膠進(jìn)行腐蝕，以將所述待加工部件與所述托盤分離。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明所提供的拋光減薄裝置和拋光減薄方法，采用托盤固定待加工部件，采用噴頭向待加工部件的待加工表面噴涂拋光液，來對(duì)所述待加工表面進(jìn)行拋光，采用磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨，來對(duì)所述待加工表面進(jìn)行減薄，由于減薄過程中待加工部件如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，因此，可以降低拋光減薄過程中對(duì)待加工部件如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力，降低待加工部件如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。選擇減薄用清洗劑，輕松應(yīng)對(duì)各種涂層問題，提升工作效率。南京哪里減薄用清洗劑哪里買

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    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法。背景技術(shù)：采用iii-v族化合物制作的半導(dǎo)體器件和超高速數(shù)字/數(shù)模混合電路等憑借其優(yōu)良的頻率特性，已經(jīng)成為通訊、雷達(dá)、制導(dǎo)、空間防御、高速智能化武器及電子對(duì)抗等現(xiàn)代化裝備的部件之一。在眾多的iii-v族化合物中，inp(磷化銦)化合物具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，這主要得益于其優(yōu)良的材料特性，例如，inp和ingaas(銦鎵砷)之間的晶格失配很小，以及電子飽和速率很高等，所以不論是hemt(highelectronmobilitytransistor，高電子遷移率晶體管)結(jié)構(gòu)還是hbt(heterojunctionbipolartransistor，異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)結(jié)構(gòu)，都具有非常優(yōu)異的高頻、大功率性能。但是，inp材料的物理性能卻很差，非常易碎，很小的碰撞或振動(dòng)都會(huì)導(dǎo)致晶圓碎裂而前功盡棄，因此，inp材料的制造加工面臨著很多工藝上的難題。尤其是在超高頻率、大功率的inp基rfic(射頻集成電路)的制造工藝中，如何在對(duì)inp基晶圓進(jìn)行減薄拋光時(shí)，減小或避免inp基晶圓的損傷是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明提供了一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法，以減小或避免inp基晶圓的減薄拋光損傷。為實(shí)現(xiàn)上述目的。

    并控制磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11每間隔20s旋轉(zhuǎn)10s，也就是說，控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)10s，控制磁轉(zhuǎn)子停止旋轉(zhuǎn)后，控制噴頭噴涂拋光液10s，停止噴涂拋光液10s后，控制磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)10s，以此類推。本發(fā)明實(shí)施例中，控制部件在脈沖工作模式下，實(shí)現(xiàn)減薄和拋光兩種工藝交替作用，使得減薄和拋光一體化完成，整個(gè)過程穩(wěn)定，速度快，控制性好，重復(fù)度高，無粉塵污染，襯底減薄終厚度達(dá)到20μm，拋光面ra＜2nm。還需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，在減薄的過程中，可以不斷更換磁轉(zhuǎn)子12，如磁轉(zhuǎn)子12工作1小時(shí)后，將磁轉(zhuǎn)子12更換為新的磁轉(zhuǎn)子，以使磁轉(zhuǎn)子與待加工表面貼合緊密，避免了傳統(tǒng)減薄工藝中由于轉(zhuǎn)子形變誤差造成的加工精度失真。此外，本發(fā)明實(shí)施例中，在完成拋光和減薄后，可以采用直鏈烷基苯磺酸鹽溶劑對(duì)待加工部件20進(jìn)行清洗，用di水沖洗干凈，40℃的氮?dú)獯蹈?。之后，將清洗后的待加工部?0和托盤10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盤10自動(dòng)分離，取出待加工部件20后清洗干凈即可。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種拋光減薄方法，如圖5所示，包括：s101：將待加工部件固定在托盤上，待加工部件包括inp基晶圓；可選地。哪家減薄用清洗劑的的性價(jià)比好？

    在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，拋光液110的主要成分包括：碳化硅顆粒，顆粒直徑為50nm～200nm，體積比為3％～5％；次氯酸鹽，體積比為30％～40％；氫溴酸，體積比為5％～7％，di水，體積比50～60％。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，磁轉(zhuǎn)子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結(jié)構(gòu)120和位于柱狀磁性結(jié)構(gòu)120的底部平面的研磨層121，以通過研磨層121對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨。當(dāng)然，本發(fā)明并不僅限于此，在其他實(shí)施例中，可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的磁轉(zhuǎn)子形狀?？蛇x地，研磨層121為金屬氧化物層，進(jìn)一步可選地，金屬氧化物層包括三氧化二鋁層?？蛇x地，研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實(shí)施例中，如圖4所示，磁轉(zhuǎn)子12沿箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)，如沿逆時(shí)針或順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)，并且，磁轉(zhuǎn)子12的長(zhǎng)度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑，以對(duì)整個(gè)待加工表面進(jìn)行研磨。本發(fā)明實(shí)施例中，拋光減薄裝置還包括控制部件。控制部件與磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11相連，用于控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作，以對(duì)待加工表面交替進(jìn)行拋光和減薄。其中，控制部件通過脈沖方式控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作?？蛇x地，控制部件控制磁轉(zhuǎn)子12的轉(zhuǎn)速為80rpm～200rpm。減薄清洗劑，采用獨(dú)特工藝，輕松去除頑固涂層。安徽市面上哪家減薄用清洗劑供應(yīng)商

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    用于將空氣噴射到玻璃的將被暴露于激光束的預(yù)定部分并因此瞬時(shí)去除噴淋液，從而可得到更準(zhǔn)確地玻璃厚度測(cè)量數(shù)據(jù)。一般的，所述目標(biāo)厚度為減薄處理后所需求玻璃的理論厚度值，所述理論厚度值為具有公差的范圍值。所述玻璃減薄生產(chǎn)線還包括輔助厚度測(cè)量?jī)x，所述輔助厚度測(cè)量?jī)x設(shè)置在所述沖洗區(qū)2中并用于再次測(cè)量經(jīng)減薄處理后的玻璃厚度，所述輔助厚度測(cè)量?jī)x將測(cè)得玻璃厚度發(fā)送到所述控制器。所述輔助厚度測(cè)量?jī)x的設(shè)置可降低所述主厚度測(cè)量?jī)x32失靈或因所述蝕刻區(qū)3中的阻礙因素不能正確測(cè)量玻璃厚度時(shí)異常操作而造成的玻璃減薄缺陷，所述阻礙因素可以為噴淋液的噴淋阻礙或所述玻璃加工治具4的振動(dòng)。所述控制器基于所述輔助厚度測(cè)量?jī)x測(cè)得的玻璃厚度確定在所述蝕刻區(qū)3中是否正常執(zhí)行減薄處理或者所述主厚度測(cè)量?jī)x32是否正確工作。一般的，從所述輔助厚度測(cè)量?jī)x接收的玻璃的厚度超出目標(biāo)厚度的公差范圍，則所述控制器確定所述主厚度測(cè)量?jī)x32無法正確工作或者在所述蝕刻區(qū)3中沒有正常執(zhí)行減薄處理。在這種情況下，所述控制器發(fā)出警報(bào)來通知管理者，所述主厚度測(cè)量?jī)x32失靈或者所述蝕刻區(qū)3中的減薄處理異常。所述主厚度測(cè)量?jī)x32失靈或所述者蝕刻區(qū)3中的減薄處理異常可能是暫時(shí)的。南京哪里減薄用清洗劑哪里買