本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù)：廢銅蝕刻液含有可回收的金屬，所以需要進(jìn)行回收處理，目前通用的做法是，使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅，或提煉成硫酸銅產(chǎn)品，工藝落后，銅回收不徹底，處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯，有二次污染污染物排放，一旦處理不當(dāng)往外排放，勢(shì)必對(duì)水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。市場(chǎng)上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡(jiǎn)單的對(duì)蝕刻液進(jìn)行回收處理，不能對(duì)蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解，使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分，而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會(huì)對(duì)電解池造成沖擊，進(jìn)而影響電解池的使用壽命，并且在回收處理中會(huì)產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境，也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理，為此，我們提出一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的市場(chǎng)上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡(jiǎn)單的對(duì)蝕刻液進(jìn)行回收處理，不能對(duì)蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解，使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分，而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會(huì)對(duì)電解池造成沖擊，進(jìn)而影響電解池的使用壽命，并且在回收處理中會(huì)產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境。蝕刻液的發(fā)展趨勢(shì)如何。蘇州銅蝕刻液蝕刻液供應(yīng)

    如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為千鳥(niǎo)排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態(tài)樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二擋板具有一下表面，當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí)，***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí)，宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí)，宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí)，宣泄孔由第二擋板的下表面朝向上表面的方向漸縮。此外，為了達(dá)到上述的實(shí)施目的，本實(shí)用新型另提出一種蝕刻設(shè)備，設(shè)置于一濕式蝕刻機(jī)的一槽體內(nèi)，蝕刻設(shè)備至少包括有一如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)、一基板、一輸送裝置，以及一風(fēng)刀裝置；基板設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的下方；輸送裝置設(shè)置于基板的下方，輸送裝置包括有至少一滾輪，其中滾輪與基板接觸以運(yùn)行基板；風(fēng)刀裝置設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的一端部，風(fēng)刀裝置包括有一設(shè)置于基板上方的***風(fēng)刀。佛山格林達(dá)蝕刻液銷(xiāo)售公司哪家的蝕刻液性?xún)r(jià)比比較高？

    silane)系偶聯(lián)劑和水，上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外，提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)異的硅烷系偶聯(lián)劑的效果。此外，本發(fā)明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時(shí)*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說(shuō)明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時(shí)氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發(fā)生的工序不良的圖。圖4是示出能夠?qū)?dnand閃存制造工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯(lián)劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯(lián)劑的aeff值與蝕刻程度。

鋁蝕刻液是鋁蝕刻液STM-AL100。根據(jù)查詢(xún)相關(guān)信息顯示：鋁蝕刻液STM-AL100是一款專(zhuān)為蝕刻鋁目的去設(shè)計(jì)的化學(xué)品，STM-AL100的組成有主要蝕刻化學(xué)品，添加劑，輔助化學(xué)品，對(duì)于控制蝕刻均勻以及穩(wěn)定的蝕刻速率一定的效果，在長(zhǎng)效性的表現(xiàn)上更是無(wú)話可說(shuō).在化學(xué)特性上，鋁金屬容易受到酸性以及堿性的化學(xué)品攻擊，本化學(xué)品設(shè)計(jì)上為酸性配方且完全可被水溶解，故無(wú)須再花額外的成本在廢水處理上.用在生產(chǎn)的用途可以調(diào)整藥液溫度來(lái)調(diào)整蝕刻速率，所以本化學(xué)品對(duì)于初次使用者來(lái)說(shuō)，是簡(jiǎn)單容易上手。什么樣的蝕刻液可以蝕刻鋁同時(shí)保護(hù)銅？

    etchingamount)的相互關(guān)系的圖表。具體實(shí)施方式本發(fā)明人確認(rèn)了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿(mǎn)足特定參數(shù)值時(shí)能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發(fā)明中，蝕刻對(duì)象膜可以為氮化物膜，保護(hù)對(duì)象膜可以為氧化物膜。此外，本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。<蝕刻液組合物>具體而言，本發(fā)明可以包含磷酸、添加劑和水，上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。本發(fā)明的上述添加劑的特征在于，使上述添加劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以(參照以下數(shù)學(xué)式)滿(mǎn)足。本發(fā)明中，各添加劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量和添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量的例子示于表3中。此外，由此計(jì)算的各添加劑的aeff值和與此有關(guān)的蝕刻程度的例示示于表2中。參照上述結(jié)果，可以確認(rèn)到上述添加劑的aeff值推薦滿(mǎn)足。蘇州博洋化學(xué)股份專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)BOE蝕刻液。上海蝕刻液產(chǎn)品介紹

鋁蝕刻液的配方是什么？蘇州銅蝕刻液蝕刻液供應(yīng)

    步驟一s1：設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10，其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121；該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121，該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121呈千鳥(niǎo)排列的直通孔態(tài)樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時(shí)，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔121平衡該第二擋板12上、下二端部的壓力。步驟二s2：使用一設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10下方的輸送裝置30輸送一基板20，以經(jīng)過(guò)一噴灑裝置50進(jìn)行一藥液51噴灑；在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程，該擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免該噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程。蘇州銅蝕刻液蝕刻液供應(yīng)