用UGN3501T還可以十分方便地組成如圖2所示的鉗形電流表。將霍爾元件置于鉗形冷軋硅鋼片的空隙中,當(dāng)有電流流過(guò)導(dǎo)線(xiàn)時(shí),就會(huì)在鉗形圓環(huán)中產(chǎn)生磁場(chǎng),其大小正比于流過(guò)導(dǎo)線(xiàn)電流的安匝數(shù)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷(xiāo)售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器...
查看詳細(xì) >>一個(gè)凹槽2內(nèi)可放置多個(gè)傳感器6的每個(gè)引腳組中的一個(gè)引腳,以通過(guò)剪切機(jī)構(gòu)7的一次剪切運(yùn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)傳感器6的引腳的剪切,提高剪切效率。并且利用凹槽2容置引腳,可防止剪切過(guò)程中傳感器6發(fā)生晃動(dòng),提高剪切的穩(wěn)定性和可靠性。具體地,如圖2所示,每個(gè)剪切機(jī)構(gòu)7包括剪切刀以及與剪切刀相連接的驅(qū)動(dòng)組件。其中,驅(qū)動(dòng)組件包括電機(jī)和傳動(dòng)部件,電機(jī)通...
查看詳細(xì) >>具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述,所述是對(duì)本發(fā)明的解釋而不是限定。參見(jiàn)圖1~圖4,一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,包括背面設(shè)有背面電極108的襯底107;襯底107正面依次設(shè)有高反層(109、外延層101、注入層、氧化硅層、氮化硅層和正面金屬電極106;所述的高反層109上開(kāi)設(shè)有用于形成電流路徑的刻蝕孔,以及與...
查看詳細(xì) >>因此在為支承體涂層時(shí)自動(dòng)建立了在接觸元件與可導(dǎo)電的涂層之間的可導(dǎo)電的連接。地,支承體裝備有用于連接線(xiàn)纜或電纜接線(xiàn)夾的元件。這些元件與所述至少一個(gè)接觸元件電接觸。閉鎖體可以裝備有用于與傳感體的可導(dǎo)電的表面和/或可導(dǎo)電的第二表面可導(dǎo)電地觸點(diǎn)接通的至少一個(gè)另外的接觸元件。在此必須保障的是:不完成表面的電觸點(diǎn)接通而且完成第二表面的電觸點(diǎn)接...
查看詳細(xì) >>圖7示出了沿圖6的線(xiàn)7-7的第二光耦合器620的視圖。在一些實(shí)施例中,第二光耦合器620可以包括耦合到該多個(gè)同心波導(dǎo)中的每個(gè)波導(dǎo)300a、300b、300c的第二邊緣304a、304b、304c的表面621a、621b、621c(參見(jiàn)圖7),以及耦合到光源625的第二表面622a、622b、622c(參見(jiàn)圖6)。在一些實(shí)施例中,表...
查看詳細(xì) >>曲折、圓形、部分圓形、橢圓形、部分橢圓形)輪廓定義的同一中心311(例如,中心點(diǎn)、中心軸)。在一些實(shí)施例中,半徑ra、rb、rc可以對(duì)應(yīng)于從中心311到波導(dǎo)300a、300b、300c的內(nèi)表面301a、301b、301c上的位置的徑向尺寸。同樣,在一些實(shí)施例中,半徑ra、rb、rc可以對(duì)應(yīng)于從中心311到波導(dǎo)300a、300b、3...
查看詳細(xì) >>2CU-3-型管子二條引線(xiàn)中較長(zhǎng)一根是“+”極。2CU型硅光電二極管使用時(shí)電原理圖見(jiàn)圖⑤(b)。圖中E為反向工作電壓的電源,R-L-是負(fù)載電阻,電信號(hào)就從它的兩端輸出。當(dāng)無(wú)光照時(shí),R-L-兩端的電壓很小;當(dāng)有光照時(shí),R-L-兩端的電壓增高,R-L-兩端電壓大小隨光照強(qiáng)弱作相應(yīng)的變化,這樣就將光信號(hào)變成了電信號(hào)。圖⑥所示是實(shí)際應(yīng)用中...
查看詳細(xì) >>該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線(xiàn)接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開(kāi)關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷(xiāo)售機(jī)構(gòu),分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、...
查看詳細(xì) >>該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線(xiàn)接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開(kāi)關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷(xiāo)售機(jī)構(gòu),分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、...
查看詳細(xì) >>本公開(kāi)作為示例性實(shí)施例提供的特定應(yīng)用以及其他未明確公開(kāi)的應(yīng)用,而不脫離本公開(kāi)的范圍。圖3示出了由圖2的數(shù)字3標(biāo)識(shí)的背光單元200的區(qū)域的放大圖,為了清楚起見(jiàn)去除了殼體105的特征以及截面線(xiàn)圖案。在一些實(shí)施例中,光耦合器220可以包括多個(gè)同心波導(dǎo)300a、300b、300c。盡管示出了三個(gè)同心波導(dǎo)300a、300b、300c,但應(yīng)當(dāng)...
查看詳細(xì) >>已被廣泛應(yīng)用于新型太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器和光電存儲(chǔ)器等領(lǐng)域。batio3是一種典型的鈣鈦礦型鐵電材料,其居里溫度大約為120℃,介電常數(shù)在室溫下高達(dá)幾千,具有良好的鐵電性能。對(duì)于一個(gè)對(duì)稱(chēng)性的晶胞而言,由于正負(fù)電荷中心相互重合,則晶體無(wú)法自發(fā)極化。為了提高鐵電晶體的極化特性,通過(guò)摻雜改變?cè)拥奈灰?,可以使晶胞結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變,正負(fù)電荷中...
查看詳細(xì) >>控制煅燒溫度為350℃,煅燒時(shí)間為3h,即可得sr摻雜batio3/znte光電極。圖1為sr摻雜batio3納米纖維的掃描電鏡圖,可以看到sr摻雜batio3納米纖維表面很光滑,纖維直徑在400nm左右,長(zhǎng)度可達(dá)幾十微米,纖維之間相互交疊,形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。圖2為znte水熱生長(zhǎng)在sr摻雜batio3納米纖維表面后的掃描電鏡圖,...
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