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  按照霍爾開關(guān)的感應(yīng)方式可將它們分為：?jiǎn)螛O性霍爾開關(guān)、雙極性霍爾開關(guān)、全極性霍爾開關(guān)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。單極性霍爾開關(guān)的感應(yīng)方式：磁場(chǎng)的一個(gè)磁極靠近它，輸出低電位電壓（低電平）或關(guān)的信號(hào)，磁...

  判別紅外接收頭引腳方法（帶外殼型）紅外接收頭一般有三只引線腳，分別為接地、電源和信號(hào)輸出。不同型號(hào)的紅外接收頭，其引腳排列也不相同。筆者用電阻法判別紅外接收頭的引腳簡(jiǎn)單、。用指針式萬用表（數(shù)字表不適用）電阻擋Ｒ*１００），先測(cè)量確定接地腳，一般接地腳與外殼是相通的，余下的兩只腳假設(shè)為ａ和ｂ，然后用黑表筆搭接地腳，用紅表筆去測(cè)ａ或ｂ...

  其***是不與被測(cè)電路發(fā)生電接觸，不影響被測(cè)電路，不消耗被測(cè)電源的功率，特別適合于高電壓、大電流傳感?；魻栯娏鱾鞲衅鞴ぷ髟砣鐖D6所示，標(biāo)準(zhǔn)圓環(huán)鐵芯有一個(gè)缺口，將霍爾傳感器插入缺口中，圓環(huán)上繞有線圈，當(dāng)電流通過線圈時(shí)產(chǎn)生磁場(chǎng)，則霍爾傳感器有信號(hào)輸出。2、位移測(cè)量如圖7所示，兩塊永久磁鐵同極性相對(duì)放置，將線性型霍爾傳感器置于中間。深...

  結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易于實(shí)現(xiàn)，不改變?cè)性O(shè)備的主要結(jié)構(gòu)，只增加少量部件和對(duì)控制程序的改造，改造費(fèi)用增加很少，以很少的設(shè)備投資，既減少了產(chǎn)品生產(chǎn)過程中氮?dú)馐褂贸杀?，又提高了系統(tǒng)的可靠性；本真空焊接系統(tǒng)通過電磁鐵和磁環(huán)進(jìn)行磁性連接，可有效提升石英玻璃罩與下固定板之間的密封性能，以保證生產(chǎn)產(chǎn)品的品質(zhì)，從而提高真空焊接系統(tǒng)的實(shí)用性。附圖說明圖1為本實(shí)...

  信號(hào)是單向傳輸?shù)摹］斎牒洼敵龆俗油耆姎飧綦x。輸出信號(hào)對(duì)輸入端沒有影響?？垢蓴_能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定，無觸點(diǎn)，使用壽命長(zhǎng)，傳輸效率高。光耦合器是20世紀(jì)70年代發(fā)展起來的新器件，目前廣泛應(yīng)用于電絕緣、電平轉(zhuǎn)換、級(jí)間耦合、驅(qū)動(dòng)電路、開關(guān)電路、斬波器、多諧振蕩器、信號(hào)隔離、級(jí)間隔離、脈沖放大電路、數(shù)字儀器、長(zhǎng)距離信號(hào)傳輸、脈沖放大等領(lǐng)域，固...

  設(shè)置靜電紡絲工藝參數(shù)：注射器推進(jìn)速度3mm/h，紡絲電壓12kv，接收距離10cm，滾筒轉(zhuǎn)速300r/min，在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維，150℃烘箱中干燥過夜，烘干后置于650℃馬弗爐中煅燒2h，熱分解后即可獲得sr摻雜batio3薄膜電極；配制30ml濃度為4mmol/l硝酸鋅、4mmol/l碲酸鈉和，攪拌...

  深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。硅光電二極管是當(dāng)前普遍應(yīng)用的半導(dǎo)體光電二極管。下面我們談?wù)?CU和2DU兩種類型硅光電二極管的種類、構(gòu)造以及應(yīng)用上的一些問題。種類與構(gòu)造一、2CU型硅光電二極管：2CU型...

  深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。光耦器件4N25的強(qiáng)、弱電隔離；★由兩只二極管極幾只阻容元件組成的一個(gè)極簡(jiǎn)單的音頻振蕩器；應(yīng)用實(shí)例：停電聲光報(bào)警器點(diǎn)擊放大許多學(xué)校采用自動(dòng)打鈴裝置，這盡管給工作帶來了方便...

  結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易于實(shí)現(xiàn)，不改變?cè)性O(shè)備的主要結(jié)構(gòu)，只增加少量部件和對(duì)控制程序的改造，改造費(fèi)用增加很少，以很少的設(shè)備投資，既減少了產(chǎn)品生產(chǎn)過程中氮?dú)馐褂贸杀?，又提高了系統(tǒng)的可靠性；本真空焊接系統(tǒng)通過電磁鐵和磁環(huán)進(jìn)行磁性連接，可有效提升石英玻璃罩與下固定板之間的密封性能，以保證生產(chǎn)產(chǎn)品的品質(zhì)，從而提高真空焊接系統(tǒng)的實(shí)用性。附圖說明圖1為本實(shí)...

  本公開作為示例性實(shí)施例提供的特定應(yīng)用以及其他未明確公開的應(yīng)用，而不脫離本公開的范圍。圖3示出了由圖2的數(shù)字3標(biāo)識(shí)的背光單元200的區(qū)域的放大圖，為了清楚起見去除了殼體105的特征以及截面線圖案。在一些實(shí)施例中，光耦合器220可以包括多個(gè)同心波導(dǎo)300a、300b、300c。盡管示出了三個(gè)同心波導(dǎo)300a、300b、300c，但應(yīng)當(dāng)...

  通過適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率，耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低，再通過增加高反層使得光子在較薄的耗盡區(qū)中二次吸收來補(bǔ)償，以減小耗盡區(qū)變薄對(duì)光響應(yīng)度的影響(參見圖3)；高反層的形成使得器件保持對(duì)長(zhǎng)波響應(yīng)度的同時(shí)，降低響應(yīng)時(shí)間；進(jìn)一步，通過在高反層上刻孔形成均勻的電流路徑同時(shí)獲得高的響應(yīng)速度(參見圖4)；由于擴(kuò)散區(qū)(耗盡區(qū)以...

  采用單個(gè)光耦合器220可以通過允許減小殼體尺寸“d”(例如，與光耦合器220的位置相對(duì))來減小邊框?qū)挾取皐”和殼體尺寸“d”中的至少一個(gè)，因?yàn)楫?dāng)采用單個(gè)光耦合器220時(shí)在該位置沒有容納光耦合器。因此，應(yīng)當(dāng)理解，關(guān)于光耦合器220和光源225描述的特征可以單獨(dú)地或組合地并且以相同或相似的方式應(yīng)用于光耦合器221和光源226以及未明確...