石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領(lǐng)域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。POLOS μ 光刻機：桌面級設計，2-23μm 可調(diào)分辨率，兼容 4 英寸晶圓，微機電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。廣東POLOSBEAM光刻機光源波長405微米

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構(gòu)合作，推動光子集成與半導體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。江蘇PSP光刻機成本效益：單次曝光成本低于傳統(tǒng)光刻 1/3，小批量研發(fā)更經(jīng)濟。

在微流體研究領(lǐng)域，德國 Polos 光刻機系列憑借獨特優(yōu)勢脫穎而出。其無掩模激光光刻技術(shù)，打破傳統(tǒng)光刻的局限，無需掩模就能實現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡時，可根據(jù)實驗需求自由設計，快速完成從圖紙到實體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例，利用 Polos 光刻機，能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復雜的微通道，模擬人體環(huán)境，讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動，much提升藥物傳輸效率研究的準確性。同時，在細胞培養(yǎng)實驗中，該光刻機制作的微流體芯片，為細胞提供穩(wěn)定且適宜的生長環(huán)境，助力細胞生物學研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機，正推動微流體研究不斷向前。

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。高頻元件驗證：成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。

某基因treatment團隊采用 Polos 光刻機開發(fā)了微米級 DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導入，在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu)，載體的 DNA 負載量達 200μg/mg，較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動物實驗顯示，該載體在肝臟靶向遞送中，基因轉(zhuǎn)染效率達 65%，且免疫原性降低 70%。其無掩模特性支持根據(jù)不同細胞表面受體定制載體形貌，在 CAR-T 細胞treatment中，CAR 基因?qū)胄蕪?30% 提升至 75%，相關(guān)技術(shù)已申請國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會?？蒲谐晒D(zhuǎn)化：中科院利用同類技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。湖北德國POLOS光刻機可以自動聚焦波長

亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。廣東POLOSBEAM光刻機光源波長405微米

上海有機化學研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設備的高重復性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。廣東POLOSBEAM光刻機光源波長405微米