二極管是什么樣子的？二極管在電路中應(yīng)用和之前介紹的電阻，電容，電感一樣，非常常見?？梢哉f正是因為半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展才有我們現(xiàn)今琳瑯滿目的電子產(chǎn)品世界。二極管作為半導(dǎo)體材料較原始的應(yīng)用，其在電子技術(shù)中的地位可想而知。那么它究竟是何方神圣呢？二極管的分類：實際應(yīng)用中二極管樣式也是多種多樣，按照不一樣的應(yīng)用場景二極管也被分成各種類別，如整流二極管、檢波二極管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、隔離二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。. 在電源管理中，穩(wěn)壓二極管可提供穩(wěn)定的電壓輸出。整流二極管規(guī)格

在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯(lián)或并聯(lián)起來使用，二極管并聯(lián)的情況:兩只二極管并聯(lián)、每只分擔(dān)電路總電流的一半口三只二極管并聯(lián),每只分擔(dān)電路總電流的三分之一?？傊?有幾只二極管并聯(lián),"流經(jīng)每只二極管的電流就等于總電流的幾分之一。但是,在實際并聯(lián)運(yùn)用時",由于各二極管特性不完全一致,不能均分所通過的電流,會使有的管子困負(fù)擔(dān)過重而燒毀。因此需在每只二極管上串聯(lián)一只阻值相同的小電阻器,使各并聯(lián)二極管流過的電流接近一致。這種均流電阻R一般選用零點幾歐至幾十歐的電阻器。電流越大,R應(yīng)選得越小。深圳快恢復(fù)二極管批發(fā)價格二極管的開和截止?fàn)顟B(tài)可以用電壓-電流特性曲線表示。

交流二極管（DIAC）、突波保護(hù)二極管、雙向觸發(fā)二極管，當(dāng)施加超過規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導(dǎo)通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護(hù)上。另，雖被稱為二極管，實際的構(gòu)造、動作原理都應(yīng)歸類為閘流管/可控硅整流器的復(fù)雜分類中。非線性電阻器，若超過一定電壓，電阻就會降低。是保護(hù)電路受到突波電壓傷害的雙向元件。通常由二氧化鋅的燒結(jié)體顆粒制成，當(dāng)作非線性電阻使用。雖然一般認(rèn)為它的作用應(yīng)是由內(nèi)部眾多金屬氧化物顆粒間的肖特基接面二極管效應(yīng)而產(chǎn)生，但對外并不呈現(xiàn)二極管的特性，因此平常并不列在二極管分類之中。

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂谩Ｓ捎跍囟仍黾?，反向電流會急劇增加，所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8V；鍺二極管約0.2～0.3V。3、動態(tài)電阻rd：反映了二極管正向特性曲線斜率的倒數(shù)。顯然，rd與工作電流的大小有關(guān)，即：rd=△VD/△ID。4、極間電容CJ：二極管的極間電容包括勢壘電容和擴(kuò)散電容，在高頻運(yùn)用時必須考慮結(jié)電容的影響。二極管不同的工作狀態(tài)，其極間電容產(chǎn)生的影響效果也不同。二極管還可以用于設(shè)計逆變器、振蕩器、繼電器、光電設(shè)備等電子器件。

PIN二極管（P-intrinsic-N Diode），PN之間一層高電阻的半導(dǎo)體層，使少數(shù)載流子的積蓄效果增加，逆回復(fù)時間也較長。利用正向偏置時高頻率信號較容易通過的性質(zhì)，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關(guān)。耿效應(yīng)二極管，應(yīng)用于低功率微波振蕩器。二極真空管，氣體放電管整流器，針狀電極和平板電極相向接近頂端放電。若把針狀電極當(dāng)做負(fù)極，比較低的電壓就會開始放電。利用這樣的性質(zhì)來做當(dāng)作整流器。點接觸二極管，用鎢之類的金屬針狀電極與N型半導(dǎo)體的表面接觸，此構(gòu)造的特征是寄生電容非常小。采用于鍺質(zhì)二極管和 耿效應(yīng)二極管 。礦石收音機(jī)中使用的 礦石檢波器 （ 日語 ： 鉱石検波器 ） 也是一種點接觸二極管。逆向擊穿時應(yīng)避免超過較大額定反向電壓，以免損壞器件。廣州變?nèi)荻O管哪家好

當(dāng)二極管的正極連接到N區(qū)，負(fù)極連接到P區(qū)時，電流無法流過二極管，實現(xiàn)阻斷。整流二極管規(guī)格

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當(dāng)在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點。整流二極管規(guī)格