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企業(yè)商機(jī)
二極管基本參數(shù)
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型號(hào)
  • 齊全
  • 半導(dǎo)體材料
  • 硅Si,磷化鎵GaP,磷銦砷化鎵GaAsInP,鍺Ge,砷As,磷砷化鎵GaAsP,鋁Al,砷鋁化鎵GaAlAs,銦In,氮N,磷化鋁鎵銦AlGaInP,鎵Ga,磷P,氮化鎵GaN,砷化鎵GaAs
  • 封裝方式
  • 塑料封裝,玻璃封裝,厚膜封裝,金屬外殼封裝
二極管企業(yè)商機(jī)

常見(jiàn)到的是發(fā)紅光、綠光或黃光的發(fā)光二極管,翠綠色是人眼感覺(jué)較舒服的顏色,所以發(fā)翠綠光的發(fā)光二極管使用的較多,同時(shí)價(jià)格也就較便宜,比如手機(jī)上的按鍵燈顏色大多是翠綠色的。每種顏色的發(fā)光二極管內(nèi)阻是不同的,這就造成了同樣電壓和電流情況下,發(fā)出的光線強(qiáng)度不同,比如電路中使用綠色的發(fā)光二極管,光線就很亮,但換成紅色的發(fā)光二極管,發(fā)出的紅光就很暗。因此,在使用發(fā)光二極管的時(shí)候,通常會(huì)串聯(lián)一個(gè)電阻,通過(guò)電路分壓來(lái)改變電流,從而調(diào)整發(fā)光的明暗度。正確安裝和調(diào)試二極管,可以確保電路的穩(wěn)定運(yùn)行和延長(zhǎng)器件的使用壽命。馬鞍山激光二極管

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二極管特性及參數(shù):1、二極管伏安特性,導(dǎo)通后分電壓值約為 0.7 V(硅管)或0.3V(鍺管)(LED 約為 1-2 V,電流 5-20 mA)。反向不導(dǎo)通,但如果達(dá)到反向擊穿電壓,那將導(dǎo)通(超過(guò)反向較大電壓可能燒壞)。正向電壓很小時(shí)不導(dǎo)通(0.5 V 以上時(shí)才導(dǎo)通)。2、主要參數(shù):較大整流電流 I_FIF: 表示長(zhǎng)期運(yùn)行允許的較大正向平均電流,超出可能因結(jié)溫過(guò)高燒壞。較高反向工作電壓 U_RUR:允許施加的較大反向電壓,超出可能擊穿。(U_RUR 通常為擊穿電壓的一半)。反向電流 I_RIR: 未擊穿時(shí)的反向電流,越小導(dǎo)電性越好。較高工作頻率 f_MfM: 上線截止頻率。因結(jié)電容作用,超出可能不能很好體現(xiàn)的單向?qū)щ娦?。快恢?fù)二極管市場(chǎng)價(jià)格二極管還可用作信號(hào)調(diào)節(jié)、保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)元件。

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發(fā)光二極管,施加正向偏置,可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見(jiàn)光二極管、紫外線二極管等。激光二極管,當(dāng)LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光(Coherent Light)時(shí),則稱為激光二極管。光電二極管,光線射入PN結(jié),P區(qū)空穴、N區(qū)電子大量發(fā)生,產(chǎn)生電壓(光電效應(yīng))。借由測(cè)量此電壓或電流,可作為光感應(yīng)器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽(yáng)電池也是利用此種效應(yīng)。隧道二極管(Tunnel Diode)、江崎二極管(Esaki Diode)、透納二極管,由日本人江崎玲于奈于1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應(yīng)的作用,會(huì)出現(xiàn)在一定偏置范圍內(nèi)正向電壓增加時(shí)流通的電流量反而減少的“負(fù)電阻”的現(xiàn)象。這是較能耐受核輻射的半導(dǎo)體二極管。

瞬態(tài)抑制二極管(TVS管),瞬態(tài)電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor,簡(jiǎn)稱TVS,它是一種高效保護(hù)器件的一種二極管。當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓鉗位于一個(gè)預(yù)定值,有效地保護(hù)電子線路中的精密元 器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應(yīng)時(shí)間快、瞬態(tài)功率大、漏電流 低、擊穿電壓偏差 、箝位電壓較易控制、無(wú)損壞極限、體積小等優(yōu)點(diǎn)。普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流 器、家用電器、儀器儀表電路中。瞬態(tài)電壓抑制二極管有單向和雙向兩種,單向的引腳有正負(fù)極方向性,使用方法和穩(wěn)壓管相同,正極接入低電位,負(fù)極接入高電位,反向接入電路中。二極管作為基本器件,對(duì)電子技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用起著重要作用。

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快恢復(fù)二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes,簡(jiǎn)稱FRD,是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用??旎謴?fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,它屬于PIN結(jié)型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。快恢復(fù)二極管的外形和普通二極管相同,原理圖和PCB庫(kù)的參照整流二極管。正確連接二極管時(shí),應(yīng)注意極性避免反接。馬鞍山激光二極管

二極管的正向壓降較小,有助于減少能量損耗。馬鞍山激光二極管

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域:當(dāng)VBR<V<0時(shí),反向電流很小,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí),反向電流急劇增加,VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū),硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也很?。绘N二極管的反向擊穿特性比較軟,過(guò)渡比較圓滑,反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看,硅二極管若|VBR|≥7 V時(shí),主要是雪崩擊穿;若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿,當(dāng)在4 V~7 V之間兩種擊穿都有,有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。馬鞍山激光二極管

二極管產(chǎn)品展示
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