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華為布局第三代半導(dǎo)體材料 爭奪5G時代主動權(quán)

來源:中國電商物流網(wǎng)  發(fā)布時間:2019-9-10 9:26

  9月9日,日前,華為公司通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳公司,占股10%,后者是一家以碳化硅為主的半導(dǎo)體材料公司,這意味著華為正在布局新一代半導(dǎo)體技術(shù)。

  在半導(dǎo)體材料上其實有一、二、三代的說法。其中第一代半導(dǎo)體材料是以硅(Si)為代表,第二代以砷化鎵(GaAs)為代表,第三代則是以以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等為代表。

  據(jù)了解,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料在制造高溫、高頻、抗輻射及大功率器件方面有優(yōu)勢,可廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)、5G通訊、汽車IGBT芯片、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為在5G和人工智能時代,第三代半導(dǎo)體材料將會迎來大發(fā)展。

  華為沒有公布投資碳化硅技術(shù)的具體內(nèi)容,不過碳化硅主要應(yīng)用市場與華為現(xiàn)在及未來的很多業(yè)務(wù)有關(guān)。此前華為在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的布局一直以IC設(shè)計業(yè)為主,擁有自有的第三代半導(dǎo)體材料渠道,對于華為而言可以讓其在芯片材料供應(yīng)上不受限制,助其在5G時代擁有更多的主動權(quán)。

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