深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-16

測(cè)試 MOS 管性能可以采用多種方法和設(shè)備。首先，可以使用萬(wàn)用表進(jìn)行初步的簡(jiǎn)單測(cè)試。將萬(wàn)用表置于二極管檔，測(cè)量 MOS 管的源極和漏極之間的二極管壓降。正常情況下，對(duì)于 N 溝道 MOS 管，紅表筆接源極，黑表筆接漏極時(shí)，會(huì)顯示一個(gè)類(lèi)似二極管導(dǎo)通的壓降值（一般在 0.5 - 1V 左右），反接時(shí)應(yīng)顯示無(wú)窮大。這可以初步判斷 MOS 管的源漏極是否正常，以及是否存在短路或開(kāi)路情況。然后，使用專(zhuān)門(mén)的 MOS 管測(cè)試儀可以精確測(cè)量其各項(xiàng)參數(shù)。測(cè)試儀可以測(cè)量閾值電壓（Vth），通過(guò)逐漸增加?xùn)艠O電壓，當(dāng)漏極電流達(dá)到一定值（如 1μA）時(shí)，此時(shí)的柵極電壓即為閾值電壓。還可以測(cè)量導(dǎo)通電阻（RDS (on)），在 MOS 管導(dǎo)通狀態(tài)下，通過(guò)施加一定的漏極電流，測(cè)量源極和漏極之間的電壓降，根據(jù)歐姆定律計(jì)算出導(dǎo)通電阻。此外，測(cè)試儀還能測(cè)量跨導(dǎo)（gm），即漏極電流的變化量與柵極電壓變化量的比值，反映 MOS 管的放大能力。對(duì)于高頻性能，需要使用高頻信號(hào)發(fā)生器和示波器等設(shè)備，測(cè)量 MOS 管的開(kāi)關(guān)時(shí)間、上升沿和下降沿等參數(shù)，評(píng)估其在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)。

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