當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。 [5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱(chēng)為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極??；長(zhǎng)寧區(qū)制造二極管售價(jià)

當(dāng)測(cè)量帶環(huán)極的光敏二極管時(shí)，環(huán)極和后極(正極)也相當(dāng)一個(gè)光敏二極管，其性能也具有單向?qū)щ娮饔煤鸵?jiàn)光后反向電阻**下降。區(qū)分環(huán)極和前極的辦法是，在反向連接情況下，讓不太強(qiáng)的光照在光敏二極管上，阻值略小的是前極，阻值略大的是環(huán)極。 [1]PN結(jié)型光電二極管與其他類(lèi)型的光探測(cè)器一樣，在諸如光敏電阻、感光耦合元件以及光電倍增管等設(shè)備中有著廣泛應(yīng)用。它們能夠根據(jù)所受光的照度來(lái)輸出相應(yīng)的模擬電信號(hào)（例如測(cè)量?jī)x器）或者在數(shù)字電路的不同狀態(tài)間切換（例如控制開(kāi)關(guān)、數(shù)字信號(hào)處理）。長(zhǎng)寧區(qū)制造二極管售價(jià)當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時(shí)，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱(chēng)此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號(hào)UD表示 [4]。

電子電路應(yīng)用二極管幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管在電路中的使用能夠起到保護(hù)電路，延長(zhǎng)電路壽命等作用。半導(dǎo)體二極管的發(fā)展，使得集成電路更加優(yōu)化，在各個(gè)領(lǐng)域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多，維持著集成電路正常工作。下面簡(jiǎn)要介紹二極管在以下四種電路中的作用。 [6]（1）開(kāi)關(guān)電路在數(shù)字、集成電路中利用二極管的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通或斷開(kāi)，這一技術(shù)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。開(kāi)關(guān)二極管可以很好的保護(hù)的電路，防止電路因?yàn)槎搪返葐?wèn)題而被燒壞，也可實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)的功能。開(kāi)關(guān)二極管還有一個(gè)特性就是開(kāi)關(guān)的速度很快。這是傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)所無(wú)法比擬的。 [6]

無(wú)論是在常見(jiàn)的收音機(jī)電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。 [4]由P區(qū)引出的電極稱(chēng)為陽(yáng)極，N區(qū)引出的電極稱(chēng)為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。 [二極管具有單向?qū)щ娦阅?，?dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子流向陰極。

常用的紅外發(fā)光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外發(fā)光二極管基于半導(dǎo)體材料的紫外發(fā)光二極管(UV LED)具有節(jié)能、環(huán)保和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在殺菌消毒、醫(yī)療和生化檢測(cè)等領(lǐng)域有重大的應(yīng)用價(jià)值。近年來(lái)，半導(dǎo)體紫外光電材料和器件在全球引起越來(lái)越多的關(guān)注，成為研發(fā)熱點(diǎn)。 2018年12月9一12日，由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的第三屆“國(guó)際紫外材料與器件研討會(huì)” (IWUMD一2018)在云南昆明召開(kāi)，來(lái)自十二個(gè)國(guó)家的270余位**出席了會(huì)議。本次會(huì)議匯聚了國(guó)內(nèi)外在紫外發(fā)光二極管材料和器件相關(guān)領(lǐng)域的多位前列**的***研發(fā)成果報(bào)告隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。長(zhǎng)寧區(qū)制造二極管售價(jià)

二極管的電路符號(hào)如圖1所示。二極管有兩個(gè)電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽(yáng)極；長(zhǎng)寧區(qū)制造二極管售價(jià)

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。 [5]長(zhǎng)寧區(qū)制造二極管售價(jià)

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