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企業(yè)商機(jī)
驅(qū)動(dòng)電路基本參數(shù)
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驅(qū)動(dòng)電路企業(yè)商機(jī)

驅(qū)動(dòng)電路是用于控制和驅(qū)動(dòng)其他電路或設(shè)備的電路。它們通常用于控制電機(jī)、繼電器、LED、顯示器等負(fù)載。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)通常需要考慮負(fù)載的電流、電壓要求,以及控制信號(hào)的特性。以下是一些常見的驅(qū)動(dòng)電路類型:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路:使用MOSFET(場效應(yīng)晶體管)作為開關(guān)元件,適用于高效能的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。BJT驅(qū)動(dòng)電路:使用雙極型晶體管(BJT)來驅(qū)動(dòng)負(fù)載,適合低頻應(yīng)用。繼電器驅(qū)動(dòng)電路:通過控制繼電器的開關(guān)來驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場合。通過控制電機(jī)的電流和電壓,可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)、速度控制、方向控制等。長寧區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)

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a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長度;b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合,并且不要用過粗的線;c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近;d) 柵極電阻使用無感電阻;e) 如果是有感電阻,可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果,IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度,分別選取 Rgon和Rgoff(也稱 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。長寧區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路專賣店集成驅(qū)動(dòng)芯片:一些集成電路(IC)可以簡化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),例如用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋驅(qū)動(dòng)IC。

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(3)沖擊電流問題。由于可控硅前沿?cái)夭ㄊ沟幂斎腚妷嚎赡芤恢碧幱诜逯蹈浇?,輸入濾波電容將承受大的沖擊電流,同時(shí)還可能使得可控硅意外截止,導(dǎo)致可控硅不斷重啟,所以一般需要在驅(qū)動(dòng)器輸入端串接電阻來減小沖擊。(4)導(dǎo)通角較小時(shí)LED會(huì)出現(xiàn)閃爍。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角較小時(shí),由于此時(shí)輸入電壓和電流均較小,導(dǎo)致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠,電路停止工作,使LED產(chǎn)生閃爍??煽仉娫淳€性調(diào)光存在的問題,即人眼在低亮度情況下對(duì)光線的細(xì)微變化很敏感;而在較亮?xí)r,由于人眼視覺的飽和,光線較大的變化卻不易被察覺。并提出了利用單片機(jī)編程來實(shí)現(xiàn)調(diào)光信號(hào)和調(diào)光輸出的非線性關(guān)系(如指數(shù)、平方等關(guān)系)的方法,使得人眼感覺的調(diào)光是一個(gè)線性平穩(wěn)過程。

IGBT驅(qū)動(dòng):IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā),其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng),負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),加快關(guān)斷速度,減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片,如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制:驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備;也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。驅(qū)動(dòng)集成芯片:在數(shù)字電源中應(yīng)用,許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。

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Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣,一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)電機(jī)控制:驅(qū)動(dòng)電路可以用來控制各種類型的電機(jī),例如步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、交流電機(jī)等。長寧區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路專賣店

效率:選擇合適的元件以提高電路的效率,減少功耗。長寧區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化,因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸2⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。長寧區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)

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