驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能,以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力,避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。保護(hù)措施:設(shè)計(jì)過流、過壓、過熱等保護(hù)電路,以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。崇明區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路專賣店
Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞喎Q硬件向?qū)В﹣韼椭褂谜甙惭b硬件驅(qū)動(dòng)程序,使用者的工作就是在必要時(shí)告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號(hào)相匹配的.inf文件,剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿?。給硬件設(shè)備安裝驅(qū)動(dòng)程序?qū)indows 9x用戶來說并不是一件陌生事,在安裝或重裝Windows時(shí)需要安裝驅(qū)動(dòng)程序,在購買了某些新硬件之后也需要安裝驅(qū)動(dòng)程序。如果驅(qū)動(dòng)程序安裝不對(duì),系統(tǒng)中某些硬件就有一定可能無法正常使用。雖然Windows 9x支持即插即用,能夠?yàn)橛脩魷p少不少工作,但由于PC機(jī)的設(shè)備有非常多的品牌和型號(hào),加上各種新產(chǎn)品不斷問世,Windows不可能自動(dòng)識(shí)別出所有設(shè)備,因此在安裝很多設(shè)備時(shí)都需要人工干預(yù)。金山區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。
由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller 效應(yīng))在測量中也沒有被包括在內(nèi),在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來說,**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]
在安裝驅(qū)動(dòng)程序時(shí),Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下,以備將來使用。Inf目錄下除了有.inf文件外,還有兩個(gè)特殊文件D和D,以及一些.pnf文件,它們都是Windows為了加快處理速度而自動(dòng)生成的二進(jìn)制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設(shè)備,也許朋友們會(huì)有印象:當(dāng)我們?cè)诎惭b某些設(shè)備時(shí),經(jīng)常會(huì)看到一個(gè)“創(chuàng)建驅(qū)動(dòng)程序信息庫”的窗口,此時(shí)Windows便正在生成這兩個(gè)二進(jìn)制文件。MOSFET驅(qū)動(dòng):MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。
門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS(驅(qū)動(dòng)器的功耗)平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下,數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出,門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -心理或情感意義:可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì)。普陀區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路售價(jià)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,通常需要控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和方向。崇明區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路專賣店
光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合:用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開通時(shí): 基極電流有快速上升沿和過沖—加速開通,減小開通損耗;2.導(dǎo)通期間:足夠的基極電流,使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗;關(guān)斷前調(diào)整基極電流,使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 , 關(guān)斷快;崇明區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路專賣店
祥盛芯城(上海)半導(dǎo)體有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,集企業(yè)奇思,創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡,一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地,繪畫新藍(lán)圖,在上海市等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù),信奉著“爭取每一個(gè)客戶不容易,失去每一個(gè)用戶很簡單”的理念,市場是企業(yè)的方向,質(zhì)量是企業(yè)的生命,在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,全體上下,團(tuán)結(jié)一致,共同進(jìn)退,**協(xié)力把各方面工作做得更好,努力開創(chuàng)工作的新局面,公司的新高度,未來祥盛芯城供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來,即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績,也不足以驕傲,過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn),才能繼續(xù)上路,讓我們一起點(diǎn)燃新的希望,放飛新的夢(mèng)想!
多數(shù)顯卡、聲卡、網(wǎng)卡等內(nèi)置擴(kuò)展卡和打印機(jī)、掃描儀、外置Modem等外設(shè)都需要安裝與設(shè)備型號(hào)相符的驅(qū)動(dòng)... [詳情]
2025-06-16多數(shù)顯卡、聲卡、網(wǎng)卡等內(nèi)置擴(kuò)展卡和打印機(jī)、掃描儀、外置Modem等外設(shè)都需要安裝與設(shè)備型號(hào)相符的驅(qū)動(dòng)... [詳情]
2025-06-16a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長度;b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合,并且不要用過粗的線;c) 線路板上的... [詳情]
2025-06-16引言近年來,高亮度LED照明以高光效、長壽命、高可靠性和無污染等優(yōu)點(diǎn)正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)... [詳情]
2025-06-15實(shí)驗(yàn)及結(jié)果根據(jù)以上分析,本文設(shè)計(jì)一臺(tái)基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器,控制芯片為NCP1607... [詳情]
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2025-06-15